三星宣布量產3奈米、良率是關鍵!彭博:追趕台積電重要里程碑

三星電子(Samsung Electronics)於今(30)日發表聲明,宣布已開始在位於首爾南部華城的晶片廠內大規模量產3奈米晶片。這也代表三星在與台積電先進製程的競賽上,取得領先優勢。

《日經亞洲》指出,先進製程技術的困難點在於,必須將更多電晶體堆疊在更小的晶片上,而三星如今展現的3奈米量產能力,昭示了該間晶片製造商於技術方面的實力。

三星官宣量產3奈米 圖/三星電子Twitter
三星官宣量產3奈米 圖/三星電子Twitter

三星在官方推特上表示,將採用GAA(Gate-All-Around)技術,並指出相較於5奈米,3奈米晶片能夠降低45%的功耗、提升23%的性能並降低16%的表面積。不過分析師也指出,良率將是後續觀察關鍵。

決戰兩奈米,三星、台積電勝負結果還要再等等

目前台積電在晶圓代工上,仍居於主導地位。台積電目前仍佔全球晶圓代工營收的一半以上,也是iPhone、iPad等產品處理器的獨家供應商。《彭博社》指出,三星若想與台積電匹敵,3奈米量產極為重要的一步。

在本月初的股東會上,台積電董事長劉德音才強調,先進製程的進展都按照計畫發展中,預計2022下半年將量產3奈米晶片,與三星不同的是,將採較為成熟的FinFET(Fin Field Effect Transistor,FinFET)工藝。一直到2025年量產2奈米時,才會採用GAA技術。

半導體架構 FinFET GAA 圖/翻攝GIZchina
半導體架構 FinFET GAA 圖/翻攝GIZchina

換句話說,雖然三星目前居於領先地位,但2奈米將會是揭曉勝負的關鍵時點。

佈局兩奈米,三星動作頻頻

三星晶圓代工業務總裁暨負責人表示,三星正進入高速成長期,將持續在下一代的製造技術上,保持領先姿態。不過該公司目前仍拒絕透露客戶名單。

雖然在3奈米暫居領先,不過三星並未暫停佈局腳步。

三星於去年底宣布,預計於美國德州斥資170億美元設立新廠,生產行動裝置、5G、高效能運算和AI(人工智慧)等先進晶片,預計2023年上半年動工,2024 下半年投產。

上個月,三星電子副會長李在鎔(Lee Jae-yong)以及執行長慶顯桂(Kyung Kye-hyun)也造訪了ASML位於荷蘭的高層,討論關於關鍵設備極紫外光設備(EUV)的供應。三星近來動作頻頻,顯見對先進製程掌握的野心。

責任編輯:錢玉紘

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