台灣團隊成功研發下世代磁性記憶體 (圖)

國家實驗研究院於9日舉行記者會,展示團隊研發的新型態「自旋軌道力矩式磁性記憶體」(SOT-MRAM),圖為團隊把SOT-MRAM做在8吋晶圓上,但尚未經過蝕刻。

中央社記者蘇思云攝 110年11月9日