Yahoo奇摩新聞 目標為第三類半導體「類IDM」 台亞氮化鎵方案2023年送樣
台亞半導體（以下簡稱台亞）於今（23）日舉行股東會，在會後記者會採訪中，台亞半導體新任總經理衣冠君表示，台亞將以成為第三類半導體的「類IDM」廠商為目標，積極投入氮化鎵（GaN）解決方案，預計在2023年可以進行送樣。
衣冠君指出，台亞過去在光磊時期，就累積許多LED三五族材料研發能量，擁有非常豐富的磊晶經驗，而後台亞跨足半導體後，就積極投入氮化鎵，目的就是希望在矽（Silcon）基礎的產業上，結合原有的光電產業發揮最大效益。
衣冠君談到，台亞現在已具備氮化鎵磊晶和封測的能力，並且擁有相關的人才，未來希望和IC設計業者合作，成為第三類半導體中的「類IDM」業者。
當被問及，一般專業分工的半導體代工方式，上游的磊晶與封測也會和IC設計業者合作，台亞口中的「類IDM」的概念是甚麼？衣冠君回應，台亞的類IDM策略是由台亞負責定義規格，請IC設計業者幫忙設計適合的IC，實際上產品是配合台亞的需求。
衣冠君強調，現在氮化鎵的參與者很多，在第三類半導體領域內只做純代工沒辦法賺錢，像是磊晶製造環節的元件驗證，結果往往掌握在元件商手裡。也因如此，台亞一開始就希望從設計端著手，朝IDM的未來前進。
以此目標發展，最好的方式是從設計到終端產品都有合作夥伴。衣冠君表示，台亞在最上游的晶圓與全球LED龍頭日亞化緊密合作，同時本身也掌握上游磊晶、封測能力，現在只缺IC設計和一些關鍵設備的導入，至於終端產品則看客戶，或者日亞化未來也可能成為台亞的最佳客戶。
至於台亞氮化鎵實際量產的規劃藍圖，衣冠君透露，該公司預計今年開始投資設備，預計2023年底前製作出高電子遷移率電晶體（Power HEMT），並進行送樣驗證，其功率範圍約650V左右，著眼於電動車、充電樁或太陽能相關應用。
值得一提的是，2021年剛成立的積亞半導體，則是以投入碳化矽（SiC）領域的高功率元件，今年將更進一步規劃下半年擴大台亞現有廠房潔净室區域，初期規劃產能目標為3,000片，待元件設計進入軌道後，未來更有規劃製作自己的碳化矽磊晶。
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