中國造出最新曝光機!陸網嗨喊「能產8奈米」 外媒打臉:落後世界15年

財經中心/蕭宥宸報導

中國造出「牆內」最新規格的曝光機,但仍落後世界15年。(示意圖/資料照)
中國造出「牆內」最新規格的曝光機,但仍落後世界15年。(示意圖/資料照)

中共積極想圓「晶片夢」,但連華為高層都潑冷水,說能造出7奈米就要偷笑。而中共工信部日前端出一份中國能自製DUV曝光機的相關文件,內容稱其分辨率能達65奈米以下、套刻精度在8奈米以下。消息讓大票小粉紅興奮不已,直呼「祖國可生產8奈米晶片」。但其實該規格連造28奈米晶片都不行,更別說要生出7、8奈米晶片。烏龍鬧到外媒也報導,更讓中共自家媒體緊急發稿幫忙上課。

根據中媒《芯智訊》報導,工信部文件中說的DUV曝光機,其實仍是較落後的乾式DUV曝光機,而非更先進的浸沒式DUV曝光機(ArFi曝光機)。雖然比起中國上微公司的SSA600曝光機還先進,但連生產28奈米晶片的能力都沒有,就更別提要造出8奈米、7奈米晶片。

報導指出,簡單來說,曝光機所謂的套刻精度,其實跟光刻製造製程節點水準完全不同。分辨率65奈米,意思就是只能造出大約65奈米的晶片,至於套刻精度8奈米,這個數字是代表機器正確對準晶片線路和電晶體的能力,該數值跟能造出何等大小的晶片無關。

而外媒《Wccftech》指出,攤開中國這款全新DUV曝光機的各項數據做對比,最晚大約在2009年,半導體裝置製造商龍頭艾司摩爾(ASML)就能提供客戶相近規格的曝光機生產晶片。換句話說,中國造晶片能力遠遠落後世界至少15年,想突破技術封鎖,可能得繼續「大撒幣」。

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