《半導體》記憶體市場復甦 力成獲美系外資價、評雙升

【時報記者林資傑台北報導】美系外資出具最新報告，看好記憶體市場復甦、重返上升周期，將使記憶體封測廠力成(6239)營收年增率恢復成長，今明兩年營收複合成長率（CAGR）達9～10％，除調升今年營收及本業獲利預期，並將評等自「中立」調升至「加碼」、目標價自100元調升至120元。

受外資升評及調升目標價激勵，力成今（18）日股價開高後放量勁揚，一度上漲5.18％至101.5元，創去年12月初以來1個半月高點，截至午盤維持逾4％漲幅，領漲封測族群。三大法人上周亦轉站多方、合計買超達5729張。

力成去年12月自結合併營收61.95億元，月減2.59％、年減6.13％，雖降至近10月低點、仍創同期次高。去年第四季合併營收190.23億元，季增0.46％、年減1.48％，創同期次高、亦創歷史第三高。累計去年全年合併營收761.8億元，仍年增14.51％、改寫新高。

美系外資認為，力成去年第四季營收略低於預期，主因前年下半年強勁成長、比較基期較高，使力成單月營收年增率自去年第二季起持續下滑。由於記憶體供需前景轉趨樂觀，預期力成今年首季營收可望恢復年成長，且動能將逐季回升。

美系外資指出，力成股價與營收年增率具強力相關性，由於預期營收年增率將持續下滑，因此先前維持中立看待。不過，由於伺服器的庫存調整已在去年底完成，預期力成單季營收年增率可能已在上季觸底，預期後續營收及股價均可望轉強。

美系外資表示，因產能增加有限、新冠肺炎致使需求疲弱、堆疊層數演進時程遞延，去年DRAM位元數僅些微成長、NAND Flash位元數年增率創低。預期在新產能增加及周期性需求復甦下，今年DRAM位元數可望年增2成、NAND Flash位元數亦可望顯著成長。

美系外資認為，隨著超大型數據中心完成庫存去化，雲端投資加速及英特爾Ice Lake CPU平台啟動，對伺服器記憶體帶來多種需求催化動能。而5G智慧型手機滲透率提升帶動需求、消費性商品需求持續強勁、汽車及工業需求復甦，亦對記憶體供需有利。

美系外資指出，力成股價明顯落後同業和記憶體業者。隨著今年產業復甦重返上升周期，預期力成今明2年營收年複合成長率（CAGR）可望有9～10％的健康成長，帶動毛利率提升、股東權益報酬率（ROE）強勁成長達14～19％，股價可望明顯反彈追趕。

美系外資將力成去年及今年營收預期分別調升4％及7％、營業利益分別調升5％及15％，評等自「中立」調升至「加碼」，目標價自100元調升至120元，意即股價仍有24％的潛在上漲空間。