工研院與產學界共同在VLSI發表世界頂尖磁性記憶體技術

▲工研院與台積電開發「自旋軌道扭矩磁性記憶體陣列晶片」，及與國立陽明交通大學合作研發新興磁性記憶體技術，獲得突破性的進展。

經濟部技術處支持工研院建立深厚的前瞻記憶體研發能量，工研院在今（15）日宣布，一方面與晶圓製造龍頭台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片，另一方面工研院也攜手國立陽明交通大學研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」發表相關論文，可望加速產業躋身下世代記憶體技術領先群，維持臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，記憶體若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，則代表效率越高，工研院攜手台積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，並達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫之高耐受度，還有超過10年資料儲存能力等特性的技術，未來可整合成先進製程嵌入式記憶體，在AI人工智慧、車用電子、高效能運算晶片等領域具有極佳的前景。

工研院與長期密切合作的國立陽明交通大學，今年也發表優化自旋轉移矩磁性記憶體的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色，在127度到零下269度範圍內，具有穩定且高效能的資料存取能力，工作溫度橫跨近400度的多功能磁性記憶體是首次被實驗驗證，未來在量子電腦、航太領域等前瞻應用與產業上潛力強大。