搶攻第三代化合物半導體商機，大聯大推出GaN匹配驅動器晶片

【財訊快報／記者張家瑋報導】搶攻第三代化合物半導體商機，IC零組件通路商大聯大(3702)宣布旗下世平推出安森美半導體（ON Semiconductor）NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型化工業電源供應器方案，該高速柵極驅動器可滿足嚴格的驅動增強模式，達到氮化鎵（GaN）電源開關的要求。 氮化鎵（GaN）為最接近理想的半導體開關的器件，其能夠以非常高的效能和高功率密度來實現電源轉換，雖然GaN器件的效能高於當今的矽基方案，能夠輕鬆超過服務器和雲資料中心最嚴格的80+規範或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。但GaN器件在某些方面又不如舊的矽技術，為了充分發揮該技術的潛在優勢，在電路設計時，外部驅動電路必須與GaN器件相匹配。

大聯大表示，該解決方案中採用的NCP51820高速柵極驅動器可用於滿足嚴格的驅動增強模式（e-mode），高電子遷移率晶體管（HEMT）和柵極注入晶體管（GIT），氮化鎵（GaN）電源開關的要求。NCP51820通過先進的技術提供短而匹配的傳播延遲，為高端驅動器提供-3.5V至+650V（典型值）共模電壓範圍，為低端驅動器提供-3.5V至+3.5V共模電壓範圍驅動能力。此外，該器件還為高速開關應用中的兩個驅動器輸出極提供高達200V/ns的穩定dV/dt操作。

即使是最好的門極驅動器，直接施加到門極的電壓也不可能是0V。所以，優化layout是成功的關鍵。採用安森美半導體的NCP51820在進行layout佈局時，能夠匹配門驅動迴路，並有助於產品微型化設計。