明後兩年晶圓產能 高速擴張

涂志豪╱台北報導

工商時報【涂志豪╱台北報導】

根據市調機構IC Insights最新研究報告指出,2020年全球將有10座新的12吋晶圓廠進入量產,全球晶圓產能將新增1,790萬片8吋約當晶圓,2021年新增產能將創歷史新高達2,080萬片8吋約當晶圓。新增產能主要來自於韓國記憶體大廠三星及SK海力士,以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等大陸半導體廠。

報告指出,自2000年以來,半導體產業是靠著增加晶圓投片量來提高晶片出貨量,利用製程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片的貢獻並不多。事實上,自2000∼2019年則這20年當中,每片晶圓切割出的良品晶片的每年平均成長率僅0.9%,但透過增加晶圓投片來增加的良品晶片的每年平均成長率達6.5%。

總體來看,2000∼2019年全球每年新增加的晶片數量,有86%來自晶圓投片量增加,只有14%是來自製程微縮讓每片晶圓切割出更多晶片。

半導體市場在2017∼2018年間出現記憶體及部份邏輯IC缺貨情況,DRAM及NAND Flash價格大漲,記憶體廠因此大舉擴充產能以因應強勁需求,晶圓代工廠及IDM廠也有擴建新產能計畫。不過,國際經濟情勢不確定性導致半導體市場需求降溫,2019年記憶體價格一路走跌,記憶體廠暫緩了產能擴充計畫,晶圓代工廠及IDM廠的產能利用率同步下修。IC Insights統計,全球晶圓廠平均產能利用率在2018年達94%,但2019年降至86%。

但對半導體廠來說,產能擴充計畫沒有取消只是延後,其中擴產規模最大的來自於記憶體廠。由於近期DRAM及NAND Flash市況回溫,記憶體廠重啟產能擴充計畫,因此導致2020年及2021年全球新增晶圓產能大幅增加,等於進入高速擴張期。

據業界消息,以記憶體龍頭大廠三星為例,正積極擴增3D NAND產能,位於西安的第二期晶圓廠已完工,預計2020年第一季開始量產,三星位於韓國平澤廠旁的P2廠也已興建完成,先前因市況不佳把下半年裝機時程延後到2020年第一季,預期2020年下半年進入量產。

IC Ingishts統計,2020年全球將有10座新的12吋晶圓廠量產,其中有2座位於大陸。2019年全球新增晶圓產能僅720萬片8吋約當晶圓,但2020年全球新增晶圓產能將衝上1,790萬片8吋約當晶圓,2021年新增產能將創新高達2,080萬片8吋約當晶圓。

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