海力士半導體開發出全球最快高頻寬HBM 3 DRAM

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【財訊快報/劉敏夫】外電報導指出,韓國記憶體晶片生產商海力士半導體(000660 KS)表示,公司開發了全球最快的高頻寬記憶體晶片(HBM DRAM)。 海力士半導體在一分聲明中表示,公司方面已經開發了HBM 3,這是第四代HBM技術,由多個垂直連接的DRAM晶片組合而成。

HBM 3每秒可處理高達819GB;數據處理速度比HBM2E提高了78%。新產品將提供24GB和16GB兩款。

海力士半導體預計HBM 3將被高性能數據中心和機器學習平台所採用。

當地時間09:48,海力士半導體股價上漲500韓元或0.51%,報98,200韓元。