《科技》英特爾公布製程規畫 與晶圓代工廠競合

【時報記者沈培華台北報導】英特爾於今日（27）日首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，為2025年及其之後的產品注入動力。英特爾先前公布IDM 2.0策略後，最新公布對新的節點命名方式，且首次宣布Intel Foundry Services（IFS，英特爾晶圓代工服務）的客戶。

英特爾持續強化技術以利未來用於自家產品及晶圓代工事業之發展。英特爾台灣分公司副總裁汪佳慧表示，英特爾與第三方晶圓廠的合作，都有密切的關係，無論過去或是未來，由於整個市場很大，雖英特爾與第三方晶圓廠雖然有些競爭，但因為市場的派很大，也會一起爭取商機。

汪佳慧表示，英特爾與第三方晶圓廠，像是台積電(2330)、聯電(2303)、三星、格芯等都有很密切的合作關係，未來英特爾產品的布局，還是會繼續與跟第三方的晶圓廠合作。英特爾創新科技總經理謝承儒亦表示，產業界大老提出，半導體的運用無所不在，台灣仍是英特爾重要的夥伴，英特爾發展晶圓代工之際，仍會與台廠合作。

英特爾公司今日首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規畫，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外，尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑（High NA）EUV。英特爾有望獲得業界首款High NA EUV量產工具。

英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構，創造清晰並具備一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。隨著英特爾成立Intel Foundry Services，這種重要性更勝以往。英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）表示：今天所揭曉的各種創新，不僅開展了英特爾的產品路線規劃，它們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。

英特爾技術專家們以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規畫，以及各節點所具備的創新技術：包括Intel 7：植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10奈米 SuperFin每瓦效能可提升大約10%～15%。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。

Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。

Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，Intel 3將於2023下半年準備開始生產。

Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。Intel 20A預計將於2024年逐步量產。英特爾也公布Qualcomm將採用Intel 20A製程技術。

2025與未來的計畫方面，Intel 20A之後，改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於2025年初問世。英特爾也正在定義、建立與部署下一世代的EUV工具，稱之為高數值孔徑EUV，並有望獲得業界首套量產工具。英特爾正與ASML緊密合作，確保這項業界突破技術能夠成功超越當代EUV。

另外，英特爾新的IDM 2.0策略，對於實現摩爾定律優勢而言，封裝變得越來越重要。英特爾宣布AWS將是第一個採用IFS封裝解決方案的客戶，並同步提供下列先進封裝藍圖規畫。