【美光二度挫敗】告福建晉華專利侵權 美光遭美聯邦法院駁回

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針對美光在2017年底在美國對福建晉華提出的專利侵權訴訟,日前已遭美國聯邦法院駁回,理由是晉華的產品並沒有在美國銷售,即使晉華有侵權的事實,美法院也沒有管轄權,但美光針對此案有權再補件說明,業界表示,美光可能會再補件,繼續告下去。

福建晉華和美系儲存大廠美光(Micron)之間的戰爭延續多時,2019年初傳來新進展,針對美光在 2017 年底在美國對福建晉華提出的專利侵權訴訟,日前已遭美國聯邦法院駁回,理由是晉華的產品並沒有在美國銷售,即使晉華有侵權的事實,美法院也沒有管轄權,但美光針對此案有權再補件說明,業界表示,美光可能會再補件,繼續告下去。

在此釐清的一點是,美光告福建晉華、聯電的專利侵權案是發生在 2017 年 12 月底,該案與 2018 年 11 月美國司法部出面指控福建晉華、聯電非法取得 DRAM儲存技術是兩個不同的司法案件。

意思是說,這次美國法院駁回美光的部分,是指美光在美國控告晉華關於專利侵權的民事案件,這與 2018 年 11 月美國司法部出面控告晉華、聯電,以及制裁晉華禁運的案子,是屬於兩個不同案件,但卻是美光與福建晉華、聯電分別在中、美兩地司法交手後,第二次遭遇挫敗。

美光首次與晉華、聯電首次交手,意外被處以「訴中禁令」

美光和晉華、聯電交手的第一次挫敗是 2018 年 7 月福州中級法院對美光發出「訴中禁令」,導致美光部分的儲存 SSD 和 DRAM 產品禁止在國內銷售,震驚國際。但是,業界認為也是因為該事件導致美光更為氣急敗壞,進而通過採取積極遊說施加壓力,最終讓美國商務部對福建晉華發出制裁令。

美國聯邦法院這次駁回美光在 2017 年 12 月控告福建晉華的專利侵權案,是因為晉華的儲存產品並未在美國境內銷售,美國法院不具備管轄權,因此駁回美光的控告,但美光有權再補件繼續提告。

事實上,晉華的 DRAM 產品並未量產,因此,當然沒有因為在美國或國內銷售,而出現侵權問題的疑慮,而美光已經在晉華的 DRAM 技術進入量產之前,先一步以禁運制裁的方式,斬斷晉華的自主 DRAM 技術之路。

(來源:美光)
(來源:美光)

不過,美光、晉華之間的司法大戰,重頭戲落在 2018 年 11 月美國司法部出面指控晉華和聯電非法取得 DRAM 技術,進而以禁運方式來制裁晉華,背後的「影武者」當然是美光。

該案也正式在 2019 年 2 月初,也就是農曆春節期間於美國法院開庭,晉華請來曾擔任聯邦檢察官的 Christine Y. Wong 擔任辯護律師,而聯電則是找來之前在美國歐巴馬時代,擔任聯邦司法部助理總檢察長的 Leslie R. Caldwell 作為辯護律師。不過,該案情極為複雜,預計不會這麽快有具體的結論。

美光啟動「秘密突擊」鎖定三大儲存陣營,上百名前員工遭到調查

美光為了 DRAM 技術與福建晉華和聯電全面槓上,要追溯到 2017 年初,美光啟動的一場「秘密突擊」。

2017 年農曆春節期間,很多在合肥長鑫睿力 12 寸晶圓廠、 長江存儲工作的台灣籍員工回家過年時,即遭到台灣地區的檢方以「突擊」的方式大規模進行約談,甚至針對部分員工限制出境,當時傳出波及的員工人數達到上百人之多。

美光收購台灣 DRAM 廠華亞科技之後,華亞科有大批員工被合肥長鑫睿力挖角,人數高達上百人,當時紫光旗下的長江存儲也被點名有挖角華亞科員工,但其實長江存儲的 3D NAND 項目啟動速度較晚,合肥長鑫的 DRAM 項目搶先一步啟動,因此多數的華亞科員工幾乎都被合肥長鑫挖走。

國內有三個儲存技術陣營:長江存儲、福建晉華、合肥長鑫,在成立之初就已進入美光為了捍衛技術與專利所圈起來的「雷達區」,那為什麽最後只有福建晉華栽了一個大跟斗,成了美光獵殺國內存儲自主陣營的「犧牲品」?

(來源:晉華)
(來源:晉華)

首先,長江存儲在代理董事長高啟全一手規劃之初,就堅持走自主技術的路線,絕對不容許有任何偷竊技術的行為,也如此規範加入長江存儲工作的員工,因此避開美光的專利雷達區。

2018 年長江存儲甚至催生 Xtacking 堆疊式技術,在美國國際大型研討會 Flash Memory Summit 上發表之後是大放光彩,成功走出自主開發之路。

再來是合肥長鑫睿力,該 DRAM 陣營行事作風也十分神秘低調,甚至傳出有好幾組不同的技術研發人馬,包括有美光、前爾必達(Elpida)、SK 海力士、三星電子(Samsung Electronics)等前員工加入,有些技術團隊甚至藏身香港等地區,如此費心地「多窟布局」,為的就是保護真正的技術來源和所屬團隊。

不過,傳出部分韓國籍的員工返回韓國時,也遭到相關單位約談,顯見韓系半導體業者也是緊盯著技術專利是否外流的議題。

而福建晉華的敗筆在哪裏?答案是技術研發的所在地。半導體業界人士分析,如果當初技術合作夥伴聯電將 DRAM 技術研發基地設立於國內,而非台灣地區,美光恐怕沒有這麽容易找福建晉華的麻煩。但因為研發基地設立於台灣地區的南科廠區,讓美光鎖定晉華和聯電為全力狙擊的目標。

福建晉華的技術合作夥伴聯電是以台灣南科 12 寸晶圓廠作為 DRAM 技術研發基地,借用聯電現有的資源,以加速晉華的研發速度,事實上研發的進度也非常順利,如果沒有美方祭出的制裁禁運事件,現在的福建晉華已經開始在量產國內第一顆自主開發的 DRAM 芯片了。

其實,美光所有的動作都是為了阻止國內擁有自主儲存技術的能力,因為大陸市場占美光整體營收貢獻將近 50%,如果國內擁有自己 DRAM 內存制造的能力,對美光營運的沖擊絕對是不容小覷,而這次對晉華的狙擊,是一場殺雞儆猴的動作,也借此警告合肥長鑫。

美光控告福建晉華和聯電專利侵權,雖然被美國聯邦法院駁回,但美光後續采取的策略仍有許多可能。美光已經將該起疑似專利侵權的案件,提升至國家安全等級,將 DRAM 技術列為國家核心技術為由,通過司法途徑進一步發難。在目前的氣氛環境下,這樁案情已經變得十分覆雜,後需發展需再密切觀察。

原文連結: 突发:美光告福建晋华专利侵权,遭美联邦法院驳回


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