美光拚超車 劍指AI記憶體

美光HBM3E(高頻寬記憶體)明年第一季在台量產,將搶攻輝達(NVIDIA)人工智慧超級電腦DGX GH200商機,美光總裁暨執行長梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)表示,台中四廠將整合先進探測與封裝測試功能,以量產HBM3E及其他產品,未來十年將創造數百個新的工作機會。

美光全力打造亞洲AI記憶體生態系,美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡(Naga Chandrasekaran)指出,美光重要節點1-beta今年下半年在台灣落腳,HBM3E樣品開發也在台灣,並透過台灣美光的組裝與測試,正式向客戶提供HBM3E樣品。

他指出,台灣不僅是半導體產業最主要生產地點,台灣的垂直整合能力、製造網路,使美光得以從晶圓製造、探測到成品組裝一應俱成,繼續鞏固美光的記憶體龍頭地位。

台灣美光董事長盧東暉分析,美光的優勢是多元分工,這對促進創新非常關鍵,集合美國、印度、日本及台灣頂尖腦力共同合作。

繼美光宣布於中國大陸和印度擴大後段封測製程之後,台中四廠的落成啟用進一步強化了美光遍布於台灣、中國大陸、新加坡和馬來西亞的全球封裝與測試網絡。

■1-gamma製程 估2025放量

台中四廠除生產DDR5的1-beta製程擴大產能外,專攻AI的高頻寬記憶體(HBM3E),預計2024年第一季在台灣放量,而採用EUV技術量產的1-gamma製程,也正在緊鑼密鼓進行研發,預計2025年首先在台量產。

此外,美光的HBM3E在美國及印度研發,日本廣島廠做矽晶穿孔,台灣廠做後段封裝,盧東暉表示,產品送樣後,客戶反應很好,一旦量產將供不應求。

業者指出,DRAM三大業者如三星、SK海力士及美光(Micron),已完成HBM2E產品開發,美光雖較同業約晚一年時間才推出高頻寬記憶體(HBM),但將憑著新世代HBM3E產品彎道超車,有望在HBM競賽中扳回一城,預料美光的HBM3E將卡位輝達明年推出的DGX GH200商機。

HBM3E是由24GB晶粒組裝成8層高度的立方體,相較市面上量產的HBM產品,容量擴大50%,且提供1.2TB/s以上頻寬及卓越功耗效率,相較上一代產品,每瓦效能也是上一代的2.5倍。美光3D堆疊技術,使HBM3E在極有限的空間中,滿足高頻寬與大容量的需求,可直接應用語言模型運算、邊緣運算AI等產品上。

更多工商時報報導
亞太電開新局 遠傳扮靠山
美經濟重啟 Nike財報超預期
工商社論》論海外就業劇減二十多萬人的迷思