聯電宣布生產22奈米用於航太高密度MRAM裝置

【記者謝政儒綜合報導】聯華電子於今(13)日宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體(Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM)。這個備受期待的第三代產品平台建構於Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體(Spin-Transfer-Torque MRAM, STT-MRAM)技術以及聯華電子的22奈米製程，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。

Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理Danny Sabour表示，此次新產品的推出，真正實現了市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正代碼(Error-Correcting Code, ECC)或耗損平均技術。有鑑於現今無所不在的感測裝置以及日益升高的資料處理需求推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，我們將很快啟動進一步提高 16Gb 單晶片解決方案的開發工作。

聯華電子前瞻發展辦公室暨研究發展副總經理洪圭鈞表示，我們很高興與Avalanche Technology這樣的技術領導廠商合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並透過此次與 Avalanche Technology的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。

Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自 2006 年起，Avalanche Technology持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面(perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ)結構的STT-MRAM技術。我們以領先業界的pMTJ和CMOS設計為基礎，透過我們的合作夥伴聯華電子，讓最先進的高密度和高性能 STT-MRAM 產品得以問世。

Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項，並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的，並具備領先業界的 >1014次寫入周期耐久性和 1,000年保存期(在 85°C 下)。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball FBGA(15mm x 17mm)封裝。這些裝置都經由JEDEC 認證流程確保寬廣的(-40°C 至125°C)工作溫度範圍，每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。

Avalanche Technology Inc. 是次世代垂直式自旋磁性記憶體技術(Perpendicular STT-MRAM)的領導者，被公認為在未來單晶片(SOC)系統中取代傳統快閃記憶體(Flash)和靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)以實現統一內存架構的領先者，可在 55、40、28 和22奈米製程下實現，並可擴展至14奈米及更先進製程。憑藉在多個幾何節點上經過驗證的 STT-MRAM 產品以及超過 300 項專利和應用的組合，Avalanche Technology 正實現下一代可擴展統一內存架構以應用於工業、物聯網、航太和儲存應用，成為真正的「次世代MRAM 企業」。(2022/9/13)