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【Yahoo論壇/劉佩真】全球DRAM市況成長趨緩格局浮現

劉佩真
台經院產業顧問暨副研究員
職場精力湯

作者為台灣經濟研究院產經資料庫副研究員  

圖片來源:iStockphoto

相較於NAND Flash市場自2018年初開始已出現反轉向下態勢,2018年上半年全球DRAM景氣尚優於原先市場預期,但在供給端逐步釋出之下,2018年下半年DRAM價格上漲幅度將明顯未如先前強勁,而2019年態勢將更為顯著,顯然全球DRAM市況成長趨緩格局已浮現。

事實上,儘管庫存尚未達到安全水位,因此買方急欲增加庫存水位以及2018年第三季傳統旺季需求來臨,仍有相對穩健的拉貨動能,惟2018年第三季DRAM價格調漲幅度已顯趨緩,主要是有鑑於在乙太幣價格回升到一定水位,或在支援高顆數記憶體的全新挖礦機種出現前,其所帶起的記憶體拉貨熱潮恐暫告一段落,加上DRAM供給位元成長已呈現逐季增加,特別是各供應商陸續轉進1X或1Y奈米製程,且良率開始逐漸獲得改善所致。

至於2018年第四季,原先市場預期DRAM價格恐開出個位數小幅下跌的局面,主要係隨著供給持續增加,需求則不見明顯回溫之下,2018年第四季DRAM市況恐轉弱,所幸在考量自家集團最重要的記憶體獲利表現之際,Samsung原本規劃在旗下LINE 16廠二樓進行擴產,建置一條月產6.5萬片新產線,並於上半年完成第一階段每月增產3.5萬片,原訂2018年第三季再增加另外的3萬片,但此計畫已決定延至2018年12月再視情況啟動,顯然全球DRAM龍頭廠商的延後擴產,將可望使2018年第四季DRAM市況有機會優於預期。

若以2019年全球DRAM市場的展望來看,儘管手機配備持續提高、資料中心布建,且5G、人工智慧的應用擴大及各種雲端服務增加,皆將持續推升DRAM的需求端,但在各廠商持續轉進1X/1Y製程,且良率將持續獲得改善與提升,以及SK Hynix無錫新廠、Samsung LINE 16廠均陸續開始投片的影響下,2019年全球DRAM供給位元成長幅度恐將大於需求端,故預估整體DRAM價格將由2017~2018年的上漲格局轉為下跌局面,跌幅至少在一成以上,全球DRAM銷售額在2018年達到1,016.20億美元的高峰之後,2019與2020年將難有先前亮麗的表現。

值得留意的是中國發展記憶體的情勢,除NAND Flash陣營的長江存除外,與本產業相關的則是福建晉華、合肥長鑫的部分,其中福建晉華則是攜手聯電來搶攻利基型DRAM市場,2018年9月啟動20或30奈米級DRAM量產,月產能可望來到6萬片12吋晶圓的生產規模。

再者則是合肥睿力與兆易創新陣營,將投入180億元人民幣來研發19奈米DRAM技術,其中兆易創新出資20%,目標2018年12月底研發成果達到產品良率不低於10%的目標,爾後則是於2018年7月合肥長鑫則是宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體,後續公司規劃2019年第三季推出8Gb LPDDR4 DRAM產品,至2019年年底,產能將達到每月2萬片的規模,且從2020年開始將開始規劃2廠的興建,並於2021年則完成17奈米製程的研發。

綜合上述,中國記憶體產業正在力求從無到有的突破口,但由於中國在DRAM初期產能仍有限,且良率、客戶擴展情勢仍有待觀察,因此預計對於2019年全球DRAM市場的影響程度仍極為有限,不過國際大廠仍密切監控是否有專利侵權現象,不排除專利糾紛或國際訴訟陸續引爆,同時祭出擴大產能、提高主力產品技術水準(如2019年Samsung將在平澤工廠啟動10奈米級LPDDR 5量產、SK Hynix預計2019年初完成LPDDR 5技術研發)等策略,來因應中國廠商開始進入DRAM市場的局面。

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