Samsung 公佈基於 HKMG 技術的單條 512GB DDR5 記憶體

Samsung 的記憶體開發又取得了新的進展，早些時候他們正式公佈了單條容量達 512GB 的 DDR5 新品。它是基於 HKMG 技術（High-K Metal Gate，高電介質金屬柵極），速度能達到 7,200Mbps，是 DDR4 的兩倍還要多。在 TSV 矽通孔技術的加持下，其成功將 8 層 16Gb DRAM 晶片堆疊在了一起，32 顆 DRAM 加在一起湊成了 512GB 的容量。

在 2018 年時，Samsung 率先在用於 GPU 的 GDDR6 晶片上啟用了 HKMG 技術。它選用了鉿而非矽，並以金屬取代了常規的多晶矽來打造柵極。這麼設計的好處是能實現更高的晶片密度，並可減少漏電，進一步降低功耗。根據 Samsung 的測試，使用 HKMG 技術的晶片會比非 HKMG 產品省電 13%。

這樣的優勢非常適合數據中心、超級電腦、機器學習等應用場景，藉 Samsung 的新聞稿，Intel 也透露該款 512GB 的 DDR5 記憶體將會適用於其下一代的 Sapphire Rapids Xeon Scalable 處理器。它的架構中將包含一款 8 通道 DDR5 記憶體控制器，配合 Samsung 的產品有望達到 460GB/s 的速度。至於普通的消費市場，估計要等到 2022 年 AMD 公佈支援 DDR5 的 Zen 4 平台之後，才能慢慢提高普及度吧。