Samsung 開始以 GAAFET 架構量產 3nm 晶片

Samsung 3nm GAAFET
Samsung 3nm GAAFET

Samsung 今日正式宣佈,其位於南韓華城的工廠已經成功開始以 GAAFET(全環柵電晶體)架構量產 3nm 製程晶片。在新的 GAAFET 方案中 Samsung 首度運用了 MBCFET(多橋通道電晶體)技術,它「突破了過去 FinFET 的效能限制」,可以透過降低電壓水平的方式提高電源效率,同時還能靠增加驅動電流能力來提升效能。

根據 Samsung 給出的數據,和現有的 5nm 製程相比,第一代的 3nm 製程可以在減少 16% 面積的前提下,降低 45% 功耗且提高 23% 效能。而未來的第二代 3nm 製程更能在減少 35% 面積的情況下,實現 50% 的功耗降幅和 30% 的效能躍升。

「基於在高介電常數金屬柵極、FinFET、EUV 等次世代製造技術上持續展現出的領導力,Samsung 實現了快速成長。」Samsung 電子總裁、代工業務主管崔世英博士如此說道,「我們希望透過全球首個 MBCFET 3nm 製程來繼續保持領先地位,未來還將在有競爭力的技術開發領域繼續創新,並建立有助於加快實現技術成熟的工藝。」