意法半導體 新晶片應用廣

工商時報【台北訊】 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出新款晶片M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。 採用ST的第三代溝槽式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽╱通道閘（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命，同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。 此外，新產品封裝亦整合新一代穩流二極體（Free-wheeling Diode）。新款二極體提供快速恢復功能，並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能，還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布，使新產品能夠安全平行，並滿足更大功率的要求。 ST是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新解決方案。從能源管理和節能技術到數位信任和資料安全，從醫療健身設備到智慧型消費性電子，從家電、汽車到辦公設備，從工作到娛樂，ST的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活的理念。