三星率先利用25納米工藝量產DRAM

三星電子在全球存儲芯片業界首次利用25納米工藝批量生產DRAM。

三星電子6日在首爾新羅酒店以各企業相關人員為對象舉行“2012年三星存儲芯片處理CIO研討會”。三星電子表示，10月成功利用25納米工藝批量生產了市場主力產品4Gb DDR3 DRAM。納米工藝是芯片生產過程中使用的高新微精工藝，數字越小，芯片生產率就越高或芯片性能越好。

其間三星電子主要利用30至40納米級工藝生產DRAM。公司方面表示，計劃明年大力增加被命名為“第四代綠色存儲芯片”的25納米工藝存儲芯片生產量。

三星電子表示，使用第四代綠色存儲芯片，比目前在市場銷售的40納米級DRAM或HDD基礎系統，處理速度高6倍以上，電力可節省20至60%。三星電子計劃明年把第四代綠色存儲芯片作為主力產品進行生產。

業界預測，存儲芯片市場今年觸底，明年將重新回升。市場調查企業高德納諮詢公司(Gartner)預測，今年世界DRAM市場規模比去年減少了4%，而明年將比今年增長9%以上。該公司又說，明年世界nand閃存市場有望增長23.1%。目前三星電子在世界DRAM市場佔有率為39.4%，排名首位，nand閃存市場佔有率為42.5%，也是首位。  

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