力旺擴大NeoFlash技術應用 跨入工規領域

IC設計力旺(3529-TW)宣佈，與世界先進(5347-TW)合作之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財，規格已由原先消費性電子應用範圍，強化至工業等級，大幅提升資料在嚴苛的工業環境留存能力，可支援對高溫操作環境有嚴格要求之客戶。

力旺指出，此成果為NeoFlash繼應用在觸控晶片與電池容量偵測晶片後之重要製程突破，可使產品應用範圍自消費性電子擴大至高階工業規格領域，如工業機具、製造設備與醫療器材等，目前此解決方案已成功通過可靠度驗證，即日起可供該公司客戶量產使用。

力旺提供之0.16微米高壓製程嵌入式快閃記憶體NeoFlash矽智財規格增強至125℃/10年，讀取速度達40ns，更適用於對環境要求與性能表現更為嚴苛之工業產品，如ARM Cortex-M0微控制器之需求，可協助客戶自消費性電子市場跨越至工業規格範疇，擴展應用產品版圖。

力旺電子總經理沈士傑表示，力旺與世界完成0.16微米NeoFlash之產品驗證，為雙方合作的重要里程碑，透過雙方積極建構單次可程式與多次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術佈局，可提供最適中的eNVM解決方案，進一步協助客戶拓展產品應用領域。