聯電與廠商合作28奈米矽智財

（中央社記者許湘欣台北28日電）晶圓代工廠聯電與半導體邏輯非揮發性記憶體（NVM）矽智財領導廠商Kilopass今天共同宣布，攜手合作先進製程28奈米矽智財。

雙方已簽署技術開發協議，Kilopass非揮發性記憶體矽智財，將於聯華電子兩個28奈米先進製程平台上提供，包括適用於生產可攜式裝置產品系統單晶片的高介電質金屬閘（High-k/Metal Gate）28HPM；受消費性電子產品系統單晶片設計公司青睞的多晶矽（Poly /SiON）28HLP製程。

聯電28奈米製程的晶片閘極密度，為40奈米製程兩倍。具成本效益的28HLP多晶矽（Poly/ SiON）製程，與業界其他28奈米多晶矽製程相比，具備更優異效能及功耗提升。

為配合系統單晶片設計公司不同電源需求，這個製程提供多個電壓選項：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。28HPM高介電質金屬閘（High-k/Metal Gate）製程，則提供臨界電壓選項、記憶體儲存單元和降頻/超頻功能，有助於系統單晶片設計公司，大幅提高產品整體效能和電池續航力。

聯電客戶工程暨矽智財研發設計支援副總簡山傑表示，聯電不斷致力於先進技術開發和及時產能導入，以充分滿足客戶需求。

為確保聯電客戶在28奈米製程上，不僅可採用聯電eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的矽智財，也能獲取最佳第3方廠商非揮發性記憶體矽智財，聯電十分樂意與Kilopass公司持續合作，確保多元化反熔絲非揮發性記憶體（anti-fuse NVM）矽智財產品，能在28奈米製程平台上提供給客戶採用。

Kilopass公司董事長暨執行長成查理（CharlieCheng）表示，對於Kilopass與聯電進行中的策略合作感到非常高興。在聯電28奈米先進製程平台上，提供Kilopass非揮發性記憶體（NVM）矽智財產品，這樣的合作為兩家公司創造雙贏。

對於聯電來說，將可在聯電先進製程平台上，為客戶提供更廣泛的矽智財產品組合，對於Kilopass而言，可將業務範圍拓展到聯華電子28奈米製程市占率提升的行動設備，與消費性電子系統單晶片產品市場。1020528