力晶衝刺NAND 轉型成功

工商時報【記者李淑惠╱台北報導】 力晶（5346）董事長黃崇仁是台灣任職時間最長的DRAM廠CEO，昨日黃崇仁親自宣布，明年1月DRAM產能將永久性低於2成，NAND Flash投片量將首度超越DRAM，成為轉型成功的第一個指標。 黃崇仁說，DRAM是力晶的歷史包袱，力晶曾經是最大的DRAM廠，但此刻起，力晶已不再是DRAM廠。 力晶繼退出標準型DRAM製造之後，在DRAM的產能、產值上有更明顯的淡出動作。黃崇仁昨日親自宣布，明年1月起，DRAM產能將永久性低於2成，也就是投片量將不超過2萬片，火力轉向NAND Flash，到年底，力晶的12吋廠將會Tune成DRAM、NAND可互換的生產線，保留DRAM技術的研發但是不投資產能，明年僅存的DRAM產能將進入30奈米製程，生產4Gb顆粒。 黃崇仁直言，過去自己是DRAM的大多頭，2007年之後卻有所改變，因為力晶今年初、年中、明年初分別量產65奈米、40奈米、30奈米製程，1年之內技術更迭2至3個世代，但是iPad重挫PC的需求，衝擊的程度無人可預測，DRAM位元出貨量成長已經缺乏動能，繼續投資、製程微縮沒有太大意義。 反觀NAND，10月NAND Flash的全球產值首度超越DRAM，同樣每月100萬片的產能，以40奈米技術來看，NAND在同一片12吋晶圓上創造更高的產值，加上NAND廠壽命長，70奈米的技術現在仍堪用，負擔的折舊攤提壓力沒有DRAM廠大，微縮製程的激烈程度也不如DRAM廠，以三星、東芝兩家大廠在NAND打得你死我活，價格卻沒殺到現金成本以下過，可見一斑。 力晶在記憶體業務中，明年以自主技術生產的IDM NAND Flash將佔產能20％至25％；至於PC DRAM明年1月起產能比重僅15％至20％，晶圓代工占產能約60％，產能、產值均淡出DRAM。