迎戰三星、英特爾 台積製程飆速

工商時報【記者涂志豪╱台北報導】 晶圓代工龍頭台積電本周四（18日）將召開法說會，上周於美國聖荷西（San Jose）舉辦的2013年技術論壇中，卻意外宣示包括16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）、極紫外光（EUV）等新技術研發及投產進度全部往前拉。 業界認為，台積電將新技術投產進度時程全面提前，除了新技術研發有所突破外，另一戰略考量，即是為了迎戰聲勢如日中天的韓國三星，以及即將由薄紗後走到台前的英特爾。 今年是台積電傾全力拉高28奈米產能的一年，原本規劃明年才開始拉升20奈米產能，但20奈米量產時間點可望提前至今年底開始。台積電在竹科12吋廠Fab12、南科12吋廠Fab14，已有20個20奈米晶片完成設計定案（tape-out），且多數為新一代ARM Cortex A15處理器核心的晶片。業界人士指出，當中自然包括了蘋果下一代A7處理器。 台積電原本2015年後才真正進入16奈米FinFET世代，但現在已經確定今年底開始試產第一片16奈米FinFET製程晶圓，應是投產首顆64位元ARM Cortex-A57架構及ARMv8指令集設計晶片。 由此來看，明年台積電就會進入16奈米FinFET世代，比原本預期早了一年。台積電雖然與英特爾、三星等共同加入了微影設備大廠荷商艾司摩爾（ASML）的「客戶聯合投資專案」，但去年底時，仍認為EUV技術尚未成熟，16奈米及10奈米仍會用到多重曝光浸潤式（Multi-Patterning Immersion）微影技術，7奈米後才會進入EUV世代，約在2016~2017年。 不過，台積電指出，首片採用EUV微影投片的10奈米晶圓，可望在2015年底開始投產出貨。雖然台積電仍在評估電子束微影（e-beam）可行性，但由此來看，台積電EUV製程將提前1~2年時間進入生產階段。 台積電將20奈米SoC製程、16奈米FinFET製程、EUV微影製程等生產時程全面往前拉，原本預估今年90億美元資本支出顯然不足，外資分析師均認為，台積電今年資本支出拉高到100億美元已無可避免，明年可能還會拉高到100億美元以上，才能將先進製程投產時間點順利提前。