刺激大腦區塊 研發記憶帽有望

（法新社華盛頓8日電） 美國加州科學家今天表示，他們可能已找到刺激大腦某1區域的方法，使該區域更容易形成記憶。

有朝一日，這個方法或許能運用在製作1種神經輔助裝置，也就是記憶帽，使人們能在需要時啟動裝置來記住新資訊，甚至可能幫助失智症患者恢復記憶。

然而，加州大學洛杉磯分校（UCLA）研究人員指出，這些可能性雖然有趣，但要到遙遠的未來才會實現。這項針對7名癲癇患者進行的研究發表在「新英格蘭醫學期刊」（New England Journal of Medicine）。

報告共同作者、加州大學洛杉磯分校大衛葛芬醫學院（David Geffen School of Medicine）神經外科教授佛里特（Itzhak Fried）表示：「我們的初步研究結果證明，可能透過機械裝置來增強記憶，尤其是針對老化或罹患初期失智症的人們。」

他說：「同時，我們只研究了少許病例，因此我們的研究結果應受到審慎解讀。」

研究人員針對這些癲癇患者，研究大腦1個稱作內嗅皮質（entorhinal cortex）區的神經刺激作用。這些患者腦內已植入電極，以便找出癲癇發作的源頭。

內嗅皮質被視為海馬迴的出入口，海馬迴是大腦形成並儲存記憶的區塊。

研究人員讓這些病患打電動遊戲，須駕駛計程車將乘客送往鎮上的特定地點，而當病患的內嗅皮質受到刺激時，會顯現出較佳的記憶力。（譯者：中央社張雅亭）1