《科技》愛德萬測試攜日東北大，STT-MRAM實務應用獲突破

【時報記者林資傑台北報導】半導體測試設備廠愛德萬測試（Advantest）宣布，與日本東北大學創新整合電子系統中心（CIES）合作，成功研發出可測量磁性隨機存取記憶體（STT-MRAM）中切換電流的測量系統，為STT-MRAM的故障分析及技術實務應用的重要里程碑。

愛德萬測試表示，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，為用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術，除應用於STT-MRAM系統外，也可用於如ReRAM、PCRAM電阻改變類的其他記憶系統上。

STT-MRAM的記憶單元由磁隧結（MTJs）及晶體管組成，堆疊排列形成儲存器陣列，結合所有高速操作、低電壓操作及高重寫容差的特色，且不需搭配備用電源，全球各研究機構及公司目前均在進行STT-MRAM研發。

不過，STT-MRAM的切換屬隨機現象，且電流非常弱、出現時間僅數奈米秒，即使測量設備可能量測在單一隧結處或單一記憶電池中的磁力切換，但對多重記憶單元中的儲存器陣列測量仍有困難。

愛德萬測試及東北大學CIES攜手，合作研發出用於愛德萬測試系統的高精密度、高速電流測試模組，成功執行了實驗測量電阻內每分鐘的變化，以及在STT-MRAM切換操作過程中電流每奈米秒單位間的轉變次數。

此項新科技除能應用在研發，用於大量生產、高效率及使用記憶測試系統的績效評估正確性都非常重要，此項研究成功，為高效率與高精密度STT-MRAM分析錯誤技術的發展樹立新里程碑，期望可以改善生產率，並提升STT-MRAM的實用性。