斥資6,00億 聯電大擴產

聯電董事長洪嘉聰(右三)及執行長孫世偉(右二)昨(24)日率領聯電主管舉行南科12吋廠Fab12A廠第5及第6期廠房動土典禮。圖/涂志豪

工商時報【記者涂志豪╱台南報導】 聯電(2303)將啟動200億美元大擴產計畫!聯電昨(24)日舉行南科12吋廠Fab12A第5、第6期廠房動土典禮,投資金額達80億美元,加上規劃中的第7、第8期廠房擴建工程,4期工程合計總投資金額將上看200億美元(約新台幣6,000億元),預計未來6~8年內全部完工並進入量產,共可增加每月10萬片產能,製程技術將支援到最先進的14奈米。 聯電不斷擴增在台南科學園區的投資規模,除了堅定落實「深耕台灣,布局全球」的經營承諾,也將啟動聯電下一波高成長時代的來臨。 聯電昨日舉行的動土典禮,由董事長洪嘉聰親自主持。洪嘉聰表示,聯電樂觀看待半導體與晶圓專工產業的長期發展,為因應產業環境快速變化與掌握市場先機,聯電訂定以客戶導向晶圓專工解決方案做為經營策略,此一策略係由純晶圓專工模式與開放的供應鏈生態系統所組成。 洪嘉聰指出,聯電將依據客戶需求與所處供應鏈中的位置,適時且持續地投資,與客戶、供應鏈廠商間形成互補互利且共創三贏的長期夥伴關係。Fab12A廠區第1至4期預計資本支出將高達80億美元,第5及第6期預定再投入約80億美元,第7及第8期廠區也將陸續展開規劃,展現聯電永續經營的決心。 聯電執行長孫世偉表示,聯電在過去10年中,在台灣南科及新加坡打造兩座12吋廠,鞏固了聯電在晶圓代工市場地位,並自主研發出28奈米製程,下半年將導入量產,20奈米高介電金屬閘極(HKMG)的後閘極(Gate-Last)、後高介電(HK-Last)等製程技術,以及14奈米3D電晶體FinFET技術都研發順利,未來聯電Fab12A的第5到第8期擴建工程,將與客戶技術藍圖緊密配合,協助客戶順利導入新世代產品,並持續為聯電成長注入動能,進一步提升獲利能力及股東權益報酬。 聯電於1999年進駐南科建立台灣第1座12吋廠,已完成的4期廠房已導入量產,月產能達8萬片,第5、第6期廠房預計2013年下半年裝置,完工後可增加5萬片產能,第7、第8期廠房亦將隨後動工,屆時全廠區總月產能將達18萬片。以目前的規劃,聯電第5到第8期工程的投資金額將上看200億美元,是聯電有史以來最大的投資計畫。