【Yahoo論壇／劉佩真】中國記憶體發展的底牌即將揭曉

作者為台灣經濟研究院產經資料庫副研究員

2018年全球記憶體市場，除各界相當關心包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash供需結構表現恐未如2017年，加上基期相對墊高，而影響2018年全球記憶體價格的走勢外，中國三大記憶體陣營產能是否如期開出，或是有出現計畫遞延的情況，更將牽動市場的目光，顯然中國發展記憶體產品的底牌即將揭曉。

而中國發展記憶體製造業的三大主力主要包括以3D NAND Flash及NOR Flash與DRAM為主的紫光集團與武漢新芯、以利基型DRAM為生產主體的福建晉華、以DRAM發展為重的合肥睿力與兆易創新。

其中紫光集團與武漢新芯發展企圖心最為積極，紫光集團即宣示希望2020年中國晶片自給率目標40%中的8%，由長江存儲來貢獻，在此情況下，為求該集團能順利啟動相關記憶體的生產工作，至少需要有千名技術人員，故近年來紫光集團除已在美國矽谷建立研發基地外，也不斷對台灣、韓國、日本進行記憶體人才的挖角，甚至在Toshiba記憶體標售案進行之際，也大肆吸引Toshiba優秀的工程人才。

此外，由紫光集團與大陸「國家集成電路產業投資基金」、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房已於2017年9月底上梁，預計於2018年投入使用，而項目（一期）達產後，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。

而福建晉華則是攜手聯電來搶攻利基型DRAM市場，福建晉華記憶體集成電路生產線在泉州市晉江專案一期投資，2018年9月月產能可望來到6萬片12吋晶圓的生產規模。

至於合肥睿力與兆易創新陣營，聲勢則有後來居上的態勢，主要是2017年9月獲得大基金入股的兆易創新，已於2017年10月與合肥市政府簽署合約，將投入180億元人民幣來研發19奈米DRAM技術，目標2018年12月底研發成功，並結合原先兆易創新位居全球前五大NOR Flash供應商的地位，實現DRAM+NOR Flash+SLC NAND Flash記憶體全產品線的戰略平台，藉此對決其他兩大陣營，力拚中國記憶體第一把交椅。

事實上，以目前中國記憶體三大陣營來看，依舊以紫光集團與武漢新芯一期的規劃投資額240億美元最高，月產能將達30萬片，也將是中國唯一3D NAND Flash技術的研發陣營，甚至長江存儲投入32層3D NAND Flash技術研發，2017年11月號稱已研發成功，2018年更將投入64層3D NAND Flash技術研發，然後續量產良率、專利授權問題仍有待觀察。

其次則為合肥睿力與兆易創新，一期投資額為72億美元，屆時月產能為12.5萬片，再者福建晉華一期投資額為56.5億美元，屆時月產能為6萬片。而為促成中國發展記憶體市場資源的整合，中國國家集成電路產業投資基金有意將在中國高階晶片聯盟（CHICA）底下成立儲存器產業聯盟，以求促成三大新成立的記憶體廠包括紫光集團與武漢新芯、福建晉華、合肥睿力與兆易創新一同加入，但各家業者均尚未表態。

整體而言，由於國際大廠布下綿密的專利網且力阻中國進行海外記憶體廠的購併，且中國在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下，因此2018年中國即將進入記憶體量產的時程恐有疑慮，但因記憶體為中國實現半導體自給率提升的重要關鍵產品，故中長期來說，中國勢必會竭盡所能積極發展記憶體，此決心仍不容忽視。

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