Yahoo奇摩新聞 三星宣布量產3奈米製程！ 外媒：尋新客戶以求趕上台積電
三星電子於30日表示，該公司已經啟動GAA架構（Gate-All-Around;閘極全環電晶體）的3奈米先進製程工藝，成為全球第一家量產3奈米製程的晶圓代工業者。據路透社報導指稱，三星此舉是為了尋找新客戶，以求趕上最大的競爭對手—台積電。
根據研調機構TrendForce先前公布的數據顯示，2021年全球晶圓代工業者市佔排名第一為台積電，佔有率高達53%，領先第二名的三星（18%）甚多。TrendForce並預估2022年台積電晶圓代工市佔率將提高至56%，而三星則小幅下降到16%。
三星表示，MBCFET多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge-Channel FET）是該公司有史以來首次採用的GAA架構技術，它突破了FinFET（鰭式場效電晶體）的性能限制，透過降低電源電壓來提升功率，且同時增加電流能力來提高性能。
該公司正把3奈米製程率先用於奈米層電晶體與半導體晶片生產，未來也將計畫應用於行動處理器生產。
三星表示，GAA技術的設計靈活性有助降低晶片功耗和面積，並提升性能。與5奈米工藝相比，第一代3奈米工藝可以降低高達45%的功耗，且提升23%性能，亦可減少16%面積；而第二代3奈米工藝降低功耗比率更高達50%，性能提高30%，面積則減少35%。
自去年第三季以來，三星透過旗下合作夥伴如美國Ansys公司、Cadence益華電腦、Synopsys新思科技和德國Siemens西門子等，共同成立「SAFE」（Samsung Advanced Foundry Ecosystem;先進製程晶圓代工生態系），務求在晶圓代工業務能找到更多新客戶，並增加市場佔有率。
