中芯國際能突破美國禁令？專家曝製程實力：技術效仿台積電這代晶片

鍾秉哲

美國對中國祭出晶片禁令未解，中國半導體技術卻傳出重大突破，部分人士解讀中國新一代國產氟化氬光刻機，即深紫外光曝光機（DUV）已可生產8奈米及以下晶片。不過，台大電機博士畢業的科技產業專家「曲博」曲建仲表示，中國規模最大、技術最先進的晶片製造企業中芯國際，目前能做到的製程能力，大概就是華為上一代手機所使用的處理器。

曲建仲24日於《曲博科技教室》發表影片指出，半導體業最早生產28奈米（nm）製程晶片，基本上是使用先進的艾司摩爾（ASML）NXT1970浸沒式DUV，該款光刻機的分辨率達到小於38奈米，套刻精度即疊對誤差也小於3.5奈米，而中國國產28奈米製程量產時間較晚，因此後面都是用ASML更先進的NXT1980製作，該款光刻機套刻精度已小於2.5奈米。

曲建仲續指，儘管ASML NXT1980的分辨率僅小於38奈米，但疊對誤差小於2.5奈米，使廠商得以透過此機型進行多重曝光，實現7奈米的製造，例如台積電第一代7奈米製程，就是採用ASML的NXT1980機型，經過多重曝光製作，但當然多重曝光也會使成本大幅提升。而ASML過往賣給中芯國際型號為1980Di的光刻機，套刻精度落在1.6奈米到2.5奈米之間。

中芯國際製程能力到哪？曲博：能做到7奈米

對於中芯國際目前的製程能力，曲建仲說，若中芯國際使用自對準雙重曝光（SADP）技術，即可製作19奈米，若採用自對準四重曝光（SAQP）即可製作9.5奈米，而自對準八重曝光（SAOP）技術，由於中芯國際擁有的NXT1980Di的套刻精度仍高於0.95奈米，因此中芯國際仍不無法藉此技術製作更先進的4.75奈米製程，僅能做到9.5奈米製程。

曲建仲表示，華為前一代手機所使用的處理器，就是中芯國際的7奈米製程，而7奈米製程的實際上晶片寬度，大概就是9.5奈米附近，這也是為何美國和荷蘭一開始就把光刻機對中國出口的限制，卡在NXT1980以上，後來又把NXT1970和NXT1980也禁了，因此這2款光刻機，在採用多重曝光後，能實現10奈米以下的先進製程能力。

曲建仲也說，美國將ASML在NXT1970Ci、NXT1980Di後的光刻機，全部進行出口管制，NXT1980Di大概可以做到7奈米製程，NXT1970Ci則可以做到10奈米製程，而若把這2款以上的全限制出口，等於中芯國際未來很難生產10奈米以下的製程，儘管中芯國際手中已有這2款機型，但已無法進口新的機器擴充產能，甚至美國也已開始限制ASML維修這2台機型。

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