傳美擬對中管制GAA晶片、HBM 專家：將成中國AI發展痛點

美中科技戰持續升溫，傳美國考慮擴大對中國晶片限制，鎖定AI領域的環繞式閘極電晶體GAA架構晶片、高頻寬記憶體(HBM)等兩大範疇。專家今天(13日)分析，美國過去在GAA相關領域已對中國祭出多項管制措施，此次鎖定GAA架構可說是補完最後一塊拼圖，而HBM管制則是要確保中國無法以記憶體堆疊技術，造出效能堪稱「101大樓等級」的記憶體，這是阻止中國以此搭配GPU算力發展AI的關鍵一環。

AI已成為未來生活、科技乃至於經濟發展的重要驅動力，有外媒報導稱，美國擬阻撓中國AI科技發展，可能限制對中國輸出包括環繞式閘極電晶體GAA架構的晶片以及高頻寬記憶體(HBM)等。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨13日受訪指出，目前僅有台積電、三星能以GAA架構進行量產，三星雖先行應用在3奈米製程，但良率不佳，而台積電則預計2025年將GAA架構導入2奈米。

楊瑞臨分析，美中科技戰開打以來，美國陸續對GAA相關領域出手，不但要求AI晶片大廠輝達只能出售降規版晶片給中國，2022年也管制以GAA架構為核心的IC設計工具EDA軟體，後續還結合盟友，限制對中輸出先進製程相關設備，而此次傳出要對GAA架構晶片出手，可說是補完GAA領域管制的最後一塊拼圖，且GAA相關技術多是出自美國實驗室，美國自然可以發揮長臂管轄。

楊瑞臨強調，美國打擊中國AI發展的關鍵之一是HBM技術，因為AI應用需要透過DRAM記憶體堆疊出HBM，來支援GPU算力，進而處理龐大的資料，美國當前並未繼續針對中國記憶體出手，未來一旦鎖定HBM做管制，即便中國改用大量「平房等級」的記憶體，效能也無法等同於「幾座101大樓等級」。他說：『(原音)你如果只有單單一顆DRAM，你是沒有辦法去支援GPU那麼龐大的算力，必須要把他堆疊起來。中國現在可以蓋平房、樓房，但是如果未來要去支應高運算AI晶片所需要的DRAM，必須要有像101大樓堆疊的技術，現在中國因為正在開發DRAM的堆疊技術，所以美國這次出手時機算是不晚。』

楊瑞臨也提到，GAA架構目前實際導入生產的只有三星，而HBM技術則掌握在韓國的SK海力士、三星以及美國自家的美光等3家廠商，此次傳出美方擬針對GAA架構、HBM出手，時機是「耐人尋味」，推測可能是美方有掌握情資或是風聲，為免韓國廠商成為中國幫手，而趕緊釋出訊息。

楊瑞臨認為，雖然GAA架構、HBM技術都是未來AI發展的重要一環，但要阻撓中國AI發展，打蛇七寸、往死裡打的關鍵將是下世代的晶片架構技術：互補式場效電晶體(CFET)，當前中國現正鴨子划水在這方面做研發，希望能彎道超車，他認為，未來CFET將成為美國下階段管制的標的。

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