南亞科看好今年DRAM需求穩定增加 產業可望健康發展

DRAM 廠南亞科 (2408-TW) 去年度營業報告書出爐，南亞科看好，今年 DRAM 需求成長穩定，供應商位元供給成長幅度估有限，可望使位元需求成長幅度更高，整體產業將健康發展、邁向成長。

在產業前景方面，南亞科看好，今年 DRAM 需求成長穩定，智慧型手機、伺服器 / 數據中心是目前最大應用區塊；供給面同樣穩定成長，維持供需平衡，過去 2 年三大 DRAM 供應商審慎增加 DRAM 相關產出，資本支出保守，今年供給成長主要仰賴製程轉換，預計位元供給成長幅度有限。

此外，根據研調機構分析，中國廠商後續量產規模，仍不致影響整體市場供需平衡。綜合上述供需的結論，今年供應商位元供給成長幅度估有限，而 5G 手機與資料中心的發展，可望使位元需求成長幅度更高，因此整體產業可望健康發展。

南亞科董事長吳嘉昭指出，今年預期 DRAM 市場售價止跌回升，整體產業可望走出谷底，並邁向成長。公司將投入更多的研發資源，加速開發 10 奈米級製程技術與新世代 DDR5 產品，同時規劃新廠擴建，未來將以符合市場需求為目標，逐步增加產出。

對於今年營運計畫，南亞科表示，1A 製程試產線已完成建置，今年將持續致力產品試產及良率提升，前導產品 8Gb DDR4 預計下半年開始送樣認證及小量生產；第二顆為下世代 DDR5，正在設計開發，預計下半年開始試產。今年也將同步加速 1B 製程技術及產品開發時程，預計第三季開始試產首顆產品。

除 10 奈米級產品線外，南亞科也將持續優化 20 奈米產品組合，除增加 DDR4 最高規格 3200Mbps 在伺服器及 PC OEM 客戶認證，提升銷售量外，也將加速 20 奈米低功率產品推廣。LPDDR4X 4267Mbps 最高規格產品正認證中，未來目標市場包括攜帶型產品、汽車及工業等應用。

為滿足市場要求及公司長遠發展，南亞科已規劃在南林科技園區中興建新廠，以持續導入先進製程及產品，並擴充產能，預計年底動土，目標於 2023 年底前完工，並開始裝機量產，產能規模將視市場需求分階段設置。

為因應 1A 製程技術的量產、新廠房興建及一般部門資本支出，南亞科今年資本支出上限預計為新台幣 156 億元。

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