台積電攻穿戴物聯網 建造超低耗電技術平台 2015年試產

為了佈局物聯網、穿戴科技下一世代商機，台積電(2330-TW) (TSM-US)今天宣布，推出業界最完備的超低耗電技術平台，擴展至全新的55奈米（55ULP）、40奈米（40ULP）、28奈米（28ULP）的超低耗電製程，並在2015年試產。

台積電表示，透過此技術平台，提供多項製程技術，大幅提升功耗優勢，以支援物聯網及穿戴式產品，同時也提供完備的設計生態環境，加速客戶產品上市時間。

目前台積電的超低耗電製程組合，除涵蓋既有的0.18微米極低漏電製程（0.18eLL）、90奈米超低漏電製程（90uLL）、16奈米FinFET製程，將更擴展全新的55奈米（55ULP）、40奈米（40ULP）、28奈米（28ULP）的超低耗電製程，以支援運算速度高達1.2GHz之應用。

台積電表示，此項涵蓋0.18微米到16奈米FinFET的超低耗電製程組合，適用於各種具節能效益的智慧型物聯網及穿戴式產品。其中，0.18微米至40奈米的超低耗電製程，具備射頻及嵌入式快閃記憶體功能，能進行系統級整合，以有效縮小尺寸外觀，並藉由無線傳輸技術串連物聯網產品。

相較前一代的低耗電製程，台積電表示，超低耗電製程能夠進一步降低操作電壓達20-30%，以減少動態與靜態功耗，同時大幅延長物聯網及穿戴式產品輕薄短小電池的使用壽命達2至10倍。

台積電總經理暨共同執行長劉德音表示，超低耗電及無所不在的連結功能是物聯網能否成功的關鍵，「我們領先業界成功推出完備的技術平台，有效滿足多樣化物聯網市場的需求與創新。」

台積公司預計2014年與客戶在55奈米超低耗電製程、40奈米超低耗電製程及28奈米超低耗電製程初步達成數項設計合作案，並在2015年進入試產。