台積電曝「兆級電晶體」路線 2030年衝1奈米製程

台積電（2330）在IEDM 2023大會上，揭露1奈米製程的最新進展，預計2030年完成開發1奈米（A10）製程技術，盼打造出內含1兆個電晶體的單一封裝體。

外媒報導，台積電在IEDM大會分享1兆電晶體晶片封裝的路線，幾與英特爾去年提供的資訊一樣。

據指出，台積電正極力研發單個矽晶片上擁有2000億個電晶體的晶片，為實現目標，全力開發2奈米級N2、N2P製程，以及1.4奈米級（A14）和1奈米級（A10）製程，預計2030年前完成。

此外，台積電也看好，隨著先進封裝技術CoWoS、InFO與 SoIC等不斷進步，將在2030年左右打造出含有超過1兆個電晶體的多晶片封裝解決方案。

台積電認為，輝達（NVDA-US）的GH100是目前市面上最複雜的處理器之一，電晶體超過800億個，但很快就會有超過1000億個電晶體的晶片問世，並預期打造強大效能的處理器會越來越複雜昂貴，因此客戶會選擇採用堆疊多晶片，預期這個趨勢將延續下去。