台積電法說會懶人包 優於預期還是不如預期?10大重點一次看!

晶圓代工龍頭台積電周四(4/20)舉辦2023第一季法人說明會,台積電總裁魏哲家和財務長黃仁昭在法說會中,針對首季營收下滑原因、第二季財測、海內外擴廠進度、晶片法案細節公布之影響、半導體景氣何時復甦以及全年資本支出是否下修等議題一一說明。本篇整理法說會10大重點如下。

1.首季美元營收達低標,毛利率超越高標

與2022年第四季相比,今年首季毛利率減少5.9個百分點,來到56.3%,主要原因是產能利用率下滑。不過,此數字優於先前財測預估值53.5%~55.5%,券商解讀超越財測高標。

此外,由於Q1實際營收數字為167.2億美元(以首季平均匯率30.42來計算),先前財測估計首季合併營收將介於167億至175億美元之間,因此,台積電首季營收並沒有「不如預期」,而是處於財測最低標。

台積電財務長暨發言人黃仁昭表示,2023年首季營收表現受到總體經濟情勢衰退和客戶因終端市場需求疲軟進行需求調整的影響。

2.微幅下調全年財測

針對第二季業務展望,Q2合併營收預計介於152億美元到160億美元之間,將面臨業績週期低點。若以新台幣30.4元兌1美元匯率假設,毛利率預計介於52%到54%之間;營業利益率預計介於39.5%到 41.5%之間。

台積電並預估全年營收下調2%~6%(低至中個位數百分比);若以美元計算,今年上半年營收目前預期將比去年同期下降約10%,得益於客戶新品問世,下半年業績將優於上半年。

3.全年資本支出維持不變

2023年全年資本支出仍預估在320億至360億美元之間,並沒有下修!

台積電強調將繼續與客戶密切合作以規劃長期產能,持續投資先進製程技術及特殊製程技術。今年資本支出約70%將用在先進製程,20%用在特殊製程,10%用在先進封裝和光罩生產等領域。

4.估景氣第二季觸底 庫存調整較預期長

上季法說會台積電預估半導體景氣將在Q2某個時間點觸底,預估下半年回溫,並預估2023年營收將呈現小幅成長。

本次法說會則強調半導體庫存水位至去年底仍遠高於預期,因此庫存調整所需時間更長,上半年將呈現「緩步復甦」跡象,預估到今年第三季才會回到健康水平;並下修2023年半導體市場預估值為年減4%~6%。

5.三奈米產能滿載

台積電強調客戶對3奈米需求超乎預期,主要來自HPC及智慧型手機應用。預估3奈米將從今年第三季開始貢獻營收,預估將佔全年營收4%~6%。目前N3E(次世代改良版)已通過驗證,預計今年下半年量產。

6.二奈米如期2025年量產

目前2奈米製程技術研發進展順利,將如期在2025年進入量產;採用奈米片(Nanosheet)電晶體結構,將效能及功耗效率提升一個世代,目前在HPC與手機應用領域已引發客戶興趣。預計2奈米製程技術正式推出時,在密度和能源效率上都將成為業界最先進技術。

7.高雄廠改為先進製程規劃 海外擴充28奈米

台積電強調持續在台投資並擴大產能。高雄晶圓廠興建工程仍照常進行,但針對先前的28奈米製程擴展計畫進行調整,目前在日本、南京都有28奈米擴產計畫,因此高雄設廠將更專注在先進製程技術的產能擴張,有可能預計興建3奈米以下先進製程廠房,不需要重做環評;其餘包括寶山、中科的2奈米擴廠規劃都按進度走。今年預計在台灣招募6,000名以上員工。

黃仁昭強調建廠考量有很多層面,水電供應當然是考量範圍,但並不會因為台灣缺水缺電就把產能全部搬到海外,建廠是採整體考量。

8.海外擴廠狀況

目前美國亞利桑那廠在取得執照方面存在一些挑戰,但仍預估第一期晶圓廠維持在2024年底量產4奈米製程,2026年量產3奈米製程。亞利桑那廠現已雇用超過900名美國員工。

至於歐洲建廠規畫,目前仍與客戶和當地夥伴持續接洽,根據客戶需求和政府的支持水準,評估建立專注於車用技術的特殊製程晶圓廠的可能性。

台積電正在日本興建一座特殊製程技術的晶圓廠,該晶圓廠計畫於2024年底進入量產;熊本廠包括12/16奈米和22/28奈米製程技術,目前已在日本雇用逾370名當地員工。而在中國仍依計劃在南京擴展28奈米製程技術的產能以支持當地客戶。

9.美國《晶片法案》補貼細節影響

台積電董事長劉德音曾公開表示,對美國《晶片法案》有些限制條件無法接受。黃仁昭在法說會指出,目前正在申請階段,跟美方保持密切聯繫,確保台積電對美國《晶片法案》規定完全了解,同時也把我們的看法提供給美方,這是一個雙向的交流。目前《晶片法案》最後申請日並無期限問題。

10.正面看待生成式AI需求爆發

生成式AI如ChatGPT在全球爆紅,台積電是否隨之獲益?黃仁昭說,目前確實看到有一些AI應用領域的需求出現,但並不是很多,正一點一滴增加中,無法提供具體數字來顯示未來市場需求到底有多大。

不過,他說,像ChatGPT這種生成式AI需求,對台積電絕對是正面的,它將呈現潛在的助益,有可能應用在7奈米以下先進製程。

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