台積電總裁密訪ASML 疑A16晶片考慮用High-NA EUV

台積電此前表示，半導體設備製造商艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑極紫外光機台（High-NA EUV）太過昂貴，2026年前使用不符合經濟效益。然而外媒報導，台積電總裁魏哲家（C.C. Wei）26日秘密前往荷蘭拜訪ASML總部，讓外界猜測台積電可能改變心意。

《Business Korea》報導，魏哲家23日並未出席在台灣舉行的台積電技術論壇，反而遠赴歐洲，造訪ASML荷蘭總部和工業雷射公司創浦（TRUMPF）德國總部。ASML和創浦執行長在社群媒體表示：「我們向魏總介紹最新技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來的半導體微加工技術。」

台積電原打算2026年下半量產A16製程晶片後，再導入High-NA EUV，因為High-NA EUV 設備報價高達3.8億美元（約123億新台幣），比EUV高出一倍多。

然而報導指出，從魏哲家秘密造訪ASML總部一事來看，台積電在High-NA EUV上的立場似乎正發生變化，為了確保全球半導體主導地位。

台積電的競爭對手英特爾（Intel），已想藉著High-NA EUV，取得難以撼動的領先優勢。首批High-NA EUV都將運往英特爾的晶片代工部門，英特爾計劃在1.8奈米試用此設備，然後納入1.4奈米製程。

台積電的另一個競爭對手三星，其集團會長李在鎔已在4月訪問ASML伙伴蔡司的德國總部，拜會ASML與蔡司執行長，強化三方半導體聯盟。之後EUV出現在2奈米和最新的先進記憶體（DRAM）製程。

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