台積電首度提及1.4奈米製程開發進度 強調2奈米製程2025年實現量產

[FTNN新聞網]記者洪宗荃/綜合外電報導

台灣晶圓龍頭台積電在1.4奈米技術上有了新的進度,根據外媒Tom’s Hardware報導,台積電在IEEE國際電子元件會議 (IEDM) 透露,台積電1.4奈米級製程的技術的開發順利進行中。台積電也再次強調,其2奈米級的製程的量產,預計在2025年實現。

台積電在IEEE國際電子元件會議 (IEDM) 透露,台積電1.4奈米級製程的技術的開發順利進行中。(示意圖/資料照)
台積電在IEEE國際電子元件會議 (IEDM) 透露,台積電1.4奈米級製程的技術的開發順利進行中。(示意圖/資料照)

根據SemiAnalysis的Dylan Patel公布的消息,台積電的1.4奈米生產節點正式稱為A14。目前,台積電尚未透露計劃何時開始 A14 及其規格的量產(HVM),但鑑於 N2 計劃於2025年末、N2P計劃於2026年末,因此被外界猜測A14會在此之後,大約在2027到2028年之間推出。

同時,Tom’s Hardware報導也表示,在功能方面,A14不太可能採用垂直堆疊互補場效電晶體(CFET),儘管台積電正在探索該技術。因此,A14 可能會依賴該公司的第二代或第三代環柵 FET (GAAFET),就如同N2節點一樣,不過N2和A14等節點,都需要系統等級的協同及最佳化,才能真正發揮作用,並實現新水平的效能、功耗和功能。

不過,仍有待觀察的是,台積電是否計劃在2027年至2028年期間,為其A14 的製程技術,採用高數值孔徑的EUV光刻工具。鑑於此,到那時英特爾(可能還有其他晶片製造商)將採用並完善數值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機,晶片合約製造商應該相當容易使用它們。然而,由於高數值孔徑的EUV微影工具將會把「掩模版」(mask)的尺寸減半,其使用未來可能會為晶片設計者和晶片製造商帶來一些額外的挑戰。

最後,Tom’s Hardware報導也指出,從現在到2027、2028 年,情況可能會發生變化,因此無法做出太多假設。但很明顯的是,台積電的科學家和開發人員正在研究下一代的製程。

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