Yahoo奇摩新聞 外媒：歐盟拚晶片製造 緊盯臺積電、三星、英特爾3巨頭
記者吳康瑋／台北報導
外媒《金融時報》指出，歐盟已經認識到，沒有任何個國家或地區可以覆蓋和掌控半導體產業鏈和供應鏈，所以在戰略重心上，必須有所選擇。歐盟成員國日前在《歐盟晶片法》草案一份修改版達成一致，歐盟距離半導體工業戰略自主的長路上又挪出一小步。自今年2月歐盟委員會公佈《歐盟晶片法》草案提議以來，歐盟在半導體工業的賽道上已經有一些佈局。
該草案的核心內容就是吸引半導體制造商來歐盟境內建立製造工廠。今年3月，英特爾宣佈將在德國薩克森-安哈爾特州的馬格德堡初步投資170億歐元，用於建立兩家半導體制造工廠，工廠將於明年上半年開工，2027年投產。
此外，團隊將採用英特爾最先進的Angstrom-era晶體管技術生產用於計算機設備、服務器和智能手機的晶片。據GTAI，這是德國乃至歐洲迄今爲止最大的一起外商直接投資。英特爾稱未來會在歐盟境內從研發、製造到封裝整條價值鏈上投資800億歐元。
歐盟委員會主席馮德萊恩指出，英特爾此舉是《歐盟晶片法》倡議的第一個大成就，根據《歐盟晶片法》草案，歐盟將動用超過430億歐元的補貼，從而從晶片製造的落後中追趕上來，實現半導體供應安全。6月初，德國聯邦政府透露，至2024年爲英特爾在建廠提供68億歐元的財政支持。
7月中，意法半導體（STMicroelectronics）和格芯（GlobalFoundries）聯合宣佈在法國投資57億歐元進行建廠，工廠將生產不同大小的晶片，最小製程爲用於汽車、工廠和家電的18nm晶片，該廠在2026年實現滿負荷生產。聯合聲明還表明，該計劃將會得到法國政府的財政支持。
意法半導體也計劃投資7.3億歐元，在意大利卡塔尼亞建造碳化硅襯底製造工廠。碳化硅（SiC）用於生產應用在電動汽車、快充電樁、新能源和其他工業應用中的微晶片。按計劃，工廠將於2026年竣工。10月，歐盟委員批准了對意法半導體的該項計劃進行2.952億歐元的歐盟國家援助。
在《歐盟晶片法》草案展開的藍圖中，歐盟將晶片產能目標設定爲，從目前佔全球產能比重的不足10%向2030年的20%進發。草案中的三大支柱可以概括爲：投資研發和創新、允許成員國政府補貼有着先進技術的製造商在歐盟落戶、應對供應危機。其中第二支柱是重中之重，430億歐元的補貼就重點落在了第二個支柱之上。
歐盟認爲缺乏先進晶片製造是其半導體工業的主要薄弱環節。草案強調了歐盟在半導體產能和小於20nm製程製造專業技術的不足，歐洲雖然獨佔了7nm以下的製造設備，卻沒有22nm以下製程製造工廠，而未來趨勢將會是5nm以下晶片。草案倡導支持建立比如在10nm及以下全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）技術、2nm以下先進製程、3D異構先進封裝方面新的試驗生產線。
歐盟將戰略重心放在了晶片製造上，且重點瞄準的就是臺積電、三星和英特爾三家擁有最先進製程工藝的半導體企業。歐盟想打造一個能和美國競爭的半導體生態圈，以吸引三巨頭來歐建立製造工廠。德國薩克森工業硅谷協會預測，僅僅在德國薩克森州，至2030年，在微電子和通信領域的從業人員將會達到10萬人左右，比今天多出2.7萬人。
據Politico，荷蘭半導體制造設備供應商阿斯麥（ASML）的CEO溫彼得（Peter Wennink）曾表達了樂觀態度，認爲一旦製造商在那，就會吸引供應商、客戶和人才，第一家工廠將會帶來第二家。目前，臺積電和三星還沒有公開承諾來歐洲建廠，卻已經將目光投往了日本、美國和中國大陸。行內人士認爲，英特爾並不擁有歐盟所需要的技術，歐盟需要臺積電和三星。
據IC Insights，在10nm製程以下晶片製造上，臺灣和韓國分別以62.8%和37.2%的比重統領了天下。而在今年的臺灣局勢中，歐盟更加意識到減少對臺灣供應依賴的緊迫性。對於歐盟發力晶片製造，且具體指向先進晶片製造，行業內有不少質疑。
德國半導體企業英飛凌（Infineon）首席營銷官在Bloomberg去年的一次採訪中表示，歐洲應當把重心放在現有的現代技術上，今天乃至未來的五年，一輛車的絕大部分零部件都不會從20nm以下晶片中得到任何好處。
來自智庫新責任基金會（SNV）的克萊漢斯（Jan-Peter Kleinhans）也認爲，英特爾在歐洲建廠不會讓歐洲更獨立更有競爭力，也不能保證晶片供應安全。他在一篇分析報告裏寫道，歐盟確實在晶圓產能上沒有太多存在感。
歐洲半導體企業大多爲IDM，且大多采取的是fab-lite模式，將製造外包給歐洲以外的工廠。而且，歐洲完全缺席先進製程芯片製造，這裏超過50%的晶圓產能都屬於180nm或以上，用於生產功率半導體和傳感器等，比如X-FAB和UMS。很多IDM專注於40nm-180nm成熟製程，比如德國的博世（Bosch）、英飛凌（Infineon）、X-FAB，荷蘭的恩智浦（NXP）等，只有極少數在使用現代工藝，比如意法半導體（28nm FD-SOI）和格芯（22nm FD-SOI）。
克萊漢斯指出，歐洲IDM沒有追隨摩爾定律是有原因的，晶片製程大小其實和許多半導體產品並不相關，比如模擬電路和傳感器。模擬和混合信號半導體的創新在於利用新材料而不是縮小製程。包括博世、英飛凌和意法半導體的歐洲企業越來越多地加大對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）化合物半導體材料的投入，這些材料尤其在功率半導體和射頻晶片上比傳統的硅更有優勢。
也就是說，歐洲IDM並沒有試圖進入先進製程跑道，而是將主要精力放在了傳感器、功率半導體和射頻晶片等上，這也是基於歐洲本土的汽車和工業應用需求，長期以來，博世、恩智浦等和歐洲本土車企建立了強大的垂直整合體系。
在克萊漢斯看來，歐盟政策層面只看到了歐盟在先進晶片製造上的差距，卻忽略了另外一個更關鍵的薄弱環節，即晶片設計。與製造一樣，歐洲同樣缺乏先進製程晶片設計，只有少數企業設計5nm和7nm製程晶片，比如恩智浦、格芯、SiPearl等。克萊漢斯認爲，與其在先進晶片製造上大力投入，不如投入尖端晶片設計，從上游產業做起。
同樣認爲歐盟打錯了靶子的還有來自智庫Bruegel的加西亞-埃雷羅（Alicia García-Herrero）。她在一篇貼文中寫道，應該大力投入研發，增加歐盟在晶片設計上的分量，而不是把大量公共資金浪費在其他地區已經出現生產過剩的芯片生產上。她站在戰略高度指出，沒有必要非得生產高端晶片，只要控制部分價值鏈即可。
不容忽視的是，歐盟在先進製程晶片製造設備上擁有絕對的壟斷地位，半導體制造設備供應商阿斯麥處於產業鏈的最上游，它一家獨佔了EUV設備的全部市場份額。其實，歐盟已經認識到，沒有任何一個國家或地區可以覆蓋和掌控半導體產業鏈和供應鏈的全部，所以在戰略重心上，必須有所選擇，不過，有選擇就有可能顧此失彼，避重就輕。《歐盟晶片法》的最初版到將來的最終版將會持續體現出這種取捨和輕重。
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