汎銓新專利工法 築高材料分析技術城牆

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【記者柯安聰台北報導】汎銓科技(6830)營運報喜!近期再取得「導電膠」與「原子層導電膜」兩個新的專利工法,加上先前已取得的「低溫原子層鍍膜」專利,汎銓科技所建構三大材料分析專利,築高半導體先進製程材料分析技術競爭力的高牆與護城河,坐穩半導體產業鏈研發領航者的地位。

汎銓表示,隨著半導體先進製程發展至電晶體尺寸已達到奈米等級,使得材料分析的技術難度、精準度的要求等皆日益增加,如何達到無損傷分析,已成了材料分析領域相關業者所需面對的共同課題,過去1奈米的損傷,並不影響製程判讀,但在即將進入2奈米製程研發的今日,些微量測差距都將導致分析的失準,可見材料分析技術的進入門檻也越來越高。汎銓科技多年來,一直致力於降低分析誤差,如何在分析過程中,保護目標,在取樣的過程中呈現樣品最真實的原貌,以保留其中微小的製程差異,這需要複雜的保護工法,汎銓科技已超前佈署研發出各項分析工法,並透過專利的取得,建構公司高度的競爭城牆。

汎銓進一步表示,公司所開發的「低溫原子層鍍膜」專利,對於敏感材料,包括EUV光阻、LK材料等,皆有很好的保護效果,有助提高分析的精準度,此低溫原子層鍍膜系統,能夠製備最嚴苛的TEM(穿透式電子顯微鏡;Transmission Electron microscopy)樣品,甚至在最脆弱的光阻或高分子樣品上得到運用的驗證。

再者,先進製程材料分析所仰賴的高解析度電子顯微鏡,常因電荷累積而產生誤差,汎銓科技也開發出兩個新的專利工法來應對,汎銓歷經多年利用「導電膠」與「原子層導電膜」克服了電子顯微鏡的問題,已成功有效的將電子顯微鏡中多餘的電荷導出試片,降低損傷,而對於新一代含金屬的EUV光阻或是其他能量敏感材料,也能發揮其強大的保護力,目前已應用在最先進的製程上,並成為分析先進製程的利器。

隨著後摩爾時代的來臨,晶片尺寸朝微縮化、效能增加、功率耗損減少,已大幅提升整體半導體生產製程良率之難度,從製造一個晶片來看,過去只需要幾百道製程,如今已演變到多達數千道之譜,可謂高難度也高複雜化,而每一道製程也都須依賴分析來檢驗其優劣,其中,更有數十道關鍵製程,必須倚賴大量的穿透式電子顯微鏡分析服務來檢驗數據上”埃米”尺度的極微小差異,提供正確且精準的分析結果,這也就是汎銓科技一直以來努力的目標。

製程快速的微縮,其所有魔鬼都藏在細節裡,如何見微知著,凸顯無損傷分析的價值,也讓汎銓成為客戶所倚重的研發夥伴。汎銓也將持續憑藉專業優秀的研發團隊,且與各大晶圓代工廠、IDM廠及上下游IC設計、封裝等產業主要客戶保持密切良好合作基礎,有效提供高準確度與即時性之半導體研發製程分析解決方案,並全力拓展兩岸事業佈局,以期挹注整體營運保持良好成長動能。(自立電子報2022/3/23)