《熱門族群》氮化鎵攻RF市場 三五族備戰

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【時報-台北電】 第三代半導體材料氮化鎵(GaN)等發展受矚,全球磊晶龍頭IQE 2020年營收估將逾1.7億元英鎊,年增逾二成,即由GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)用於5G基礎設施所貢獻,惟相較其高成本,GaN on Si(矽基氮化鎵)獲市場相對看好、將率先進入無線射頻(RF)市場,已投入相關研發的台系三五族半導體廠包括穩懋(3105)、宏捷科(8086)等也已就戰備位置。

宏捷科指出,GaN製程選擇有三,包括GaN on Sic(碳化矽基氮化鎵)、GaN on Si、GaN on Sapphire;其中,6吋GaN on Sic在各方面表現最佳,然成本最高,現階段不適合消費性電子產品。GaN on Sapphire則有散熱不佳的問題,相較之下,GaN on Si將有機會率先進入基礎建設與高頻射頻市場。

一般以GaAs(砷化鎵)所製作的晶圓要價約1,000~1,200美元/片,但若是以GaN on Sic製作,光是Epi(磊晶)一片就要約7,000~8,000美元,整個製程下來,一片要價恐高達10,000美元,與GaAs相較,差距約8~10倍左右,成本相當昂貴。此外,SiC基板主要由美系龍頭大廠Cree所掌握,幾乎是壟斷,以致材料取得不易。

GaN on Si目前已有包括台積電在內用以製作快充,現階段以Power(電源)市場為主,無線通訊的RF(射頻)元件則是各界亟欲卡位的未來商機。

包括穩懋、全新、宏捷科、全訊、環宇-KY、太極、中美晶等紛紛著手相關布局,如中美晶攜手宏捷科、全新與太極、漢磊集團積極思考如何確保SiC(碳化矽)基板來源。

宏捷科表示,與中美晶合作,正是看好其旗下半導體子公司環球晶圓最有能力提供材料,現階段已陸續就參數等細節,進行來回調整,期望能在2022年上半年達到量產目標。

(新聞來源:工商時報─記者方歆婷/台北報導)