《科技》SiC晶柱雷射切割研發聯盟簽MOU 攻第三代半導體商機

【時報-台北電】隨著5G、衛星通訊、電動車的浪潮來臨，對於高頻率運算、快速充電的產品需求極速上升，化合物半導體的發展為各國競相發展的技術重點，金屬中心與雷科（6207）、真興科技攜手合作，10日簽署「SiC（碳化矽） 晶柱雷射切割研發聯盟合作備忘錄」（MOU），將共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備，取代傳統利用鑽石線切割SiC晶錠。

雷科集團總經理黃萌義表示，雷科長期投入開發各項雷射切割設備，已經累積雷射切割相關技術。近年隨著電動車、5G等新興應用對於功率元件效能需求更高，傳統矽與砷化鎵半導體的溫度、頻率、功率已達瓶頸，難以提升電壓和運轉速度；化合物半導體材料「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN），SiC更可應用於1000伏特以上的高壓電，如用在高鐵、風力發電、電動車等，碳化矽可大幅提升效率。本次研發聯盟的成立，就是希望國內能掌握雷射晶柱切割自主技術，協助台灣搶佔化合物半導體龐大商機。

真興科技創辦人邱俊榮指出，化合物半導體是未來各國搶占新能源、電動車，乃至太空科技、國防產業，不能忽視的上游關鍵技術。真興在雷射光學光路設計擁有獨特技術能量，未來與聯盟夥伴攜手開發雷射晶柱切割設備，突破國外雷射切割專利壁壘，持續維持台灣在半導體產業的技術領先優勢。（新聞來源：工商即時 李淑惠／台北報導）