經濟部支持工研院分別攜手陽明交通大學、清華大學於頂尖VLSI與IMS發表論文

▲經濟部技術處支持工研院建立深厚前瞻記憶體研發能量，更分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球頂尖之研發會發表技術成果，持續奠定臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

經濟部技術處推動AI人工智慧、5G與AIoT科技加速發展，支持工研院建立深厚前瞻記憶體研發能量，更分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE國際微波會議（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻模型技術成果，適用主流先進製程所需AI高速運算能力及製程微縮需求，以高速、高效能之優勢持續奠定臺灣半導體在國際不可或缺的地位。

經濟部技術處指出，製程微縮是在半導體先進製程的重要趨勢，今年工研院與國內頂尖學府陽明交大、清華大學分別在VLSI與IMS國際會議上發表前瞻研發論文，展現臺灣在新世代記憶體與超高頻科技的深厚能量，提升國際競爭力。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，由於磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）具有高寫入與讀取速度，今年工研院攜手陽明交大在VLSI共同發表新型單極化磁性記憶體Unipolar-MRAM，較傳統磁性記憶體具有更高存取速度、低功耗和更長的數據保持時間，可與既有的二極體與相關製程整合、相容，實現較以往更高的儲存密度。

面對B5G、6G通訊基礎建設布建及與營運，新興半導體材料氮化鎵具高頻、高功率特性，逐漸在高頻毫米波應用上成為顯學。工研院與清大教授徐碩鴻團隊在元件開發、自主模型建立、電路設計上合作，突破高頻電路效能，今年雙方合作在IEEE發表基於自主超高頻模型下實現110GHz振盪器電路創新成果，未來將以此關鍵技術持續拓展國際合作契機。