美光推高速記憶體 效能增5成

美光宣布推出16Gb DDR5記憶體,以其領先1β製程節點技術,美光1β DDR5 DRAM的內建系統功能速率可達7,200MT/s,相較於前一代產品,效能可提升50%,每瓦效能功耗可降低33%。

美光的新一代記憶體,目前已出貨給資料中心及PC客戶。美光1β DDR5 DRAM可擴大運算能力,並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平台,支援AI訓練及推論、生成式AI、資料分析、記憶體資料庫等。

全新1β DDR5 DRAM產品,在現有模組化密度中,速率可達4,800MT/s至7,200MT/s,適用於資料中心及客戶端應用。

美光核心運算DRAM產品設計工程事業部企業副總裁Brian Callaway指出,量產1β DDR5 DRAM,並提供給客戶及資料中心平台,是業界一大里程碑,在公司與生態系夥伴及客戶合作下,將加速高效能記憶體產品普及。

華碩消費性產品事業處陳奕彰協理表示,華碩作為消費型及電競高效能筆電領導品牌,如何將記憶體子系統轉換至DDR5,是華碩關注的重點。很期待推出搭載美光1β DDR5記憶體的華碩與ROG筆電,為顧客創造出更好的使用體驗。

Ampere Computing產品長Jeff Wittich認為,將Ampere的雲原生處理器,搭配美光1β DDR5記憶體,可組成同級中最佳的運算方案,滿足超大規模客戶追求的效能、擴充性及能耗比,AmpereOne平台及早整合採用速率達7,200MT/s的美光1β DDR5記憶體,將可持續推進AI、機器學習等高效能運算應用發展。

Cadence IP事業群資深副總裁暨總經理 Boyd Phelps強調,很榮幸與美光合作,運用我方領導業界的DDR5、LPDDR5X、GDDR6、HBM3 IP系統解決方案,搭配美光世界級記憶體產品組合,共同支持適合特定應用的次世代平台,在美光先進的1β DDR5記憶體助力之下,能夠以高達7,200MT/s的速率評估並驗證高效能的 DDR5 IP。

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