老毛病又犯了?傳三星HBM晶片未能通過Nvidia測試

三星電子積極開發新晶片,近期卻傳出負面消息,根據路透社引述消息人士說法,三星的HBM晶片未能通過輝達(Nvidia)測試,但尚未獲得證實。

路透社報導引述三名知情人士說法,指稱三星旗下最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片,由於發熱和功耗問題,未能通過輝達測試,不過輝達拒絕評論該說法。

消息人士透露,發熱和功耗問題影響到HBM3晶片,該晶片是目前AI圖形處理器(GPU)最常用的第四代HBM標準,甚至影響到三星的業務以及他的競爭對手們,正在推向市場的第五代HBM3E晶片。

消息人士提到,三星去年開始一直努力想通過輝達對HBM3和HBM3E的測試,但始終未能達成,最近一次對三星8層和12層HBM3E晶片測試失敗是在4月份通報。

三星提供給路透社的聲明表示,HBM是一款客製化記憶體,需要「根據客戶需求進行優化流程」,還透露正在通過與客戶的密切合作來優化產品,拒絕對特定客戶發表評論。

(封面示意圖/Unsplash)

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