聯電 星Fab 12i新廠上機

晶圓代工廠聯電21日在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮,首批機台設備到廠。聯電預計,該廠建物將於今年中完成,配合客戶訂單調整,量產時間將延後半年至2026年初,預期投產後將是聯電全球化布局重要一環。

聯電21日新加坡Fab 12i廠首批機台設備到廠,象徵該公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑,此次設備到廠典禮由新加坡經濟發展局(EDB)、新加坡裕廊集團(JTC)、微電子研究院(IME)、相關建廠合作夥伴以及關鍵設備和材料供應商代表出席。

聯電於2022年2月宣布了此第三期的擴建計畫,並設定成為新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一。聯電指出,新加坡廠建廠預計投入資金約30億~40億美元,第一階段將規劃月產能約2萬至3萬片的產能,原本預期2025年中將投產,不過,今年4月法說會時,聯電高層表示,該廠建物將於今年中完成,配合客戶訂單調整,量產時間將延後半年,至2026年初。

聯華電子在新加坡投入12吋晶圓製造廠的營運已超過20年,新加坡Fab 12i廠也是聯電的先進特殊製程研發中心,新廠Fab 12i第三期擴建新廠是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一,將提供22/28奈米製程,總投資金額為30億至40億美元。

聯電指出,由於5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動,對聯電22/28奈米製程需求的前景看好,因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約,以確保未來對客戶產能的供應。

聯電表示,第三期擴建新廠生產的特殊製程技術,如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI以及混合信號CMOS等,在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。

聯電近年來持續進行產能擴建及強化特殊製程,年度資本支出呈三級跳走勢,2020~2022年資本支出從10億美元、15億美元快速拉高至27億美元,2023年更持續增加至30億美元,今年在新加坡廠加速建廠下,全年資本支出小幅攀升至33億美元。

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