認罪侵害商業機密 聯電遭美重罰6000萬美元

美國司法部今天發布新聞稿指出，聯華電子對竊取商業機密罪表示認罪，判處罰款6000萬美元（約新台幣17.3億元），以換取與美國政府合作協議，對共同被告的中國國有企業調查與起訴。

美國司法部於2018年指控聯電與中國福建晉華共謀竊取、傳送與持有美光（Micron）關於製造動態隨機存取記憶體（DRAM）的營業秘密，並起訴曾任台灣美光總經理、聯電副總經理的前福建晉華總經理陳正坤，及自台灣美光跳槽聯電的何姓和王姓工程師，3人被控竊取美光技術後轉移給福建晉華。

美國司法部次長羅森（Jeffrey Rosen）在新聞稿中指出，聯電竊取美國領導企業的商業機密，讓中國得以實現戰略目標，無需花費自己的時間或金錢就能獲得技術。這項起訴是司法部成功保護美國企業免受那些企圖欺騙和竊取技術企業的案例。

聯電指出，在和解協議中，司法部同意撤銷對聯電原來的指控，包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光（Micron）營業秘密、和專利有關的指控、以及可能從4億到87.5億美元的損害賠償及罰金等。

聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6000萬美元的罰金，並在3年自主管理的緩刑期間內與司法部合作。聯電表示，2016年5月公司獲經濟部投審會核准，與福建晉華簽署合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體（DRAM）製程。協議中所開發的DRAM製程並非最新技術，而是與2012年已用於量產技術相似的舊技術。為了與晉華的DRAM合作案，聯電公開招募工程師，不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電，且針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施。

聯電指出，兩位參與DRAM合作案的台灣美光前員工，卻違反簽訂的僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。當聯電知悉上述情事時，立即採取必要措施以確認開發的製程技術不包含任何未經授權的資訊。

聯電指出，合作協議中提及的第一代DRAM製程技術在2018年9月依協議移轉給晉華。聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。

依據美國營業秘密保護法，即使員工在公司高層不知情的情況下違反公司政策，公司對於員工行為仍須負法律責任。聯電表示，在上述美國法律規範下，聯電因此在和解協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。洪嘉聰說，聯電作為引領台灣半導體業發展的公司之一，持續研發半導體及其他技術已40年，在全球半導體供應鏈中扮演著舉足輕重的角色。

聯電超過1/3的營收來自美國，與美國客戶及供應商都有長久的業務關係。洪嘉聰表示，聯電集團近期更與美國公司合作，生產對抗新冠肺炎所需的呼吸器中的半導體晶片。洪嘉聰說，數年前，聯電獲得政府事前核准，以自身專業知識及經驗、以及豐富的研發資源，參與DRAM合作開發案。當聯電高層發現員工的不當行為時，立即採取措施，包含展開內部調查，並防止任何未經授權的資訊遭使用或外流。洪嘉聰表示，有鑑於此，聯電將繼續落實並加強有關營業秘密的保護與防免的政策與措施，包括機密資訊的監管機制、智財權保護的教育訓練與稽核等，以確保日常營運符合公司智財權及資安保護政策。洪嘉聰說，很欣慰與美國政府達成協議，未來公司將持續在各領域提供具有競爭力的產品及服務。

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