雷科簽訂SiC晶柱雷射切割研發聯盟MOU，搶跨第三代半導體

【財訊快報／記者陳浩寧報導】雷科(6207)跨入第三代半導體，宣布攜手金屬中心與、真興科技，簽署「SiC（碳化矽）晶柱雷射切割研發聯盟合作備忘錄」（MOU），共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備，取代傳統利用鑽石線切割SiC晶錠。而在跨化合物半導體領域下，激勵今日股價開高大漲，開盤一度攻上漲停34.40元。 隨著5G、衛星通訊、電動車的浪潮來臨，對於高頻率運算、快速充電的產品需求極速上升，化合物半導體的發展爲各國競相發展的技術重點。雷科此次參與共同開發碳化矽晶柱雷射切割設備，取代傳統利用鑽石線切割SiC晶錠，切片速度慢且損耗大，及表面平坦度較差的問題，此次產研合作突圍國外競爭對手在碳化矽半導體雷射切割技術的壟斷。

雷科總經理黃萌義表示，雷科長期投入開發各項雷射切割設備，已經累積雷射切割相關技術。近年隨著電動車、5G等新興應用對於功率元件效能需求更高，傳統矽與砷化鎵半導體的溫度、頻率、功率已達瓶頸，難以提升電壓和運轉速度；化合物半導體材料「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN），其中SiC更可應用於1,000伏特以上的高壓電，如用在高鐵、風力發電、電動車等，碳化矽可大幅提升效率。本次研發聯盟的成立，就是希望國內能掌握雷射晶柱切割自主技術，協助台灣搶佔化合物半導體龐大商機。

真興創辦人邱俊榮指出，化合物半導體是未來各國搶占新能源、電動車，乃至太空科技、國防產業，不能忽視的上游關鍵技術。真興在雷射光學光路設計擁有獨特技術能量，未來與聯盟夥伴攜手開發雷射晶柱切割設備，突破國外雷射切割專利壁壘，持續維持台灣在半導體產業的技術領先優勢。

雷科提到，傳統線切割技術，因碳化矽高硬度使得線割磨耗大及切割速度慢，未來開發先進雷射面切割技術，切割時間可大幅減少約85%，材料耗損減少約70%。由於國際唯二的先進雷射切割設備尚未外銷售，期望藉由此次聯盟合作，能成功突破國際大廠築起之技術壁壘，為臺灣半導體搶佔上游戰略布局先機，以加速化合物半導體的發展。