Yahoo奇摩新聞 高頻寬記憶體搶手 韓SK海力士投資10億美元研發AI記憶體技術
SK海力士今年將在南韓投資超過10億美元，擴大和改進晶片製造的後段工序。（圖片來源／SK Hynix fb）
《彭博》3月7日報導，南韓記憶體晶片大廠SK海力士公司在加大先進晶片封裝業務的資本支出，希望滿足更多人工智慧（AI）產業對關鍵組件高頻寬記憶體（HBM）猛增的需求。
前三星電子公司工程師、現任SK海力士的晶片封裝開發負責人李康宇（Lee Kang-Wook）表示，總部位於利川的SK海力士今年將在南韓投資超過10億美元，擴大和改進晶片製造的後段工序。
製作工藝日新月異，為HBM成為最受歡迎的AI記憶體的優勢，技術如果進一步改善，就能夠降低功耗、提高性能，並且鞏固海力士在HBM市場的領先地位。
HBM成為最受歡迎的AI記憶體
李康宇的專長是開發組合和連接半導體的先進方法。隨著現代人工智慧崛起，以及平行處理鏈需要消化大量數據，這種方法變得更加重要。雖然SK海力士尚未披露今年的資本支出預算，但分析師平均估計該數字為14兆韓元（105億美元），這表明先進封裝（約佔整體資本支出的十分之一）是主要優先事項。
李康宇在接受媒體訪問時表示，「半導體產業的前50年集中發展前端技術，即晶片本身的設計和製造，但接下來50 年將是後端（即封裝）的天下。」
在這場競賽中，率先實現下一個里程碑的公司可望躋身行產領先地位。SK海力士被美國AI晶片巨頭輝達（Nvidia）選中為其製定標準的人工智慧加速器提供HBM，從而將這家韓國公司的市值推高至120兆韓元。
到2024年3月7日收盤為止，自2023年初以來，SK海力士股價累計飆漲1.2倍，該公司目前是南韓市值第二大公司，該期間表現優於三星和美國對手美光科技。
海力士開創第3代封裝技術HBM2E的新方法
現年55歲的李康宇協助開創第3代封裝技術HBM2E的新方法，該方法很快就被其他兩家主要製造商效仿，這項創新技術是SK海力士在2019年底贏得輝達認可的最大功臣。
李康宇長期投入透過堆疊晶片來獲得更高的性能的研究。2000年，他在日本東北大學獲得微型系統3D整合技術博士學位，他的指導教授為Mitsumasa Koyanagi，Koyanagi發明用於手機的堆疊式電容器DRAM。2002年，李康宇加入三星記憶體部門擔任首席工程師，領導矽通孔（TSV）的3D封裝技術的開發。
這項成果後來成為開發高頻寬記憶體（HBM）的基礎。HBM 是一種高效能記憶體，它將晶片堆疊在一起，並將它們與TSV連接起來，以便更快、更節能處理大量數據。
但是早在智慧手機時代之前，三星就在其他領域投入更多資金，國際晶片大廠通常將組裝、測試和封裝晶片的任務外包給亞洲小國。
後來在2013年，SK海力士和美國合作夥伴超微（AMD）向世界推出HBM時，他們2年內沒有遇到任何敵手的挑戰，直到2015年底，三星開發出HBM2。3年後，李康宇跳槽到SK 海力士，他們帶著一絲自豪開玩笑說，HBM就是「海力士最佳的記憶體晶片」。
三星與美光急起直追推出HBM新產品
里昂證券韓國分析師拉納 (Sanjeev Rana) 表示：「SK海力士管理層對記憶體產業的發展方向有更深入了解，也做好了充分準備，當機會來臨時，他們用雙手抓住機遇，但是三星被發現在打瞌睡。」
聊天機器人APP ChatGPT於2022年11月問世後席捲全球， 李康宇等待的時刻終於降臨。當時，在日本的聯絡人的幫助下，他的研發團隊很快開發一種新的封裝方法，稱為大規模回流成型底部填充（MR-MUF）。這種製程涉及在矽層之間注入液體材料，然後進行硬化處理，從而提高散熱性和產量。一位知情人士透露，SK海力士與日本公司Namics就該資料和相關專利進行合作。
李康宇強調，SK海力士正在投入大筆資金，推進MR-MUF和TSV技術。
三星多年來被出缺的高層主管困擾，但現在開始反擊。2023年，輝達認證三星的HBM晶片，這家總部位於水原的公司今年2月26日表示，它已經開發出第5代技術HBM3E，配備12層DRAM 晶片和業界最大容量36GB。
同一天，總部位於愛達荷州博伊西的美光科技表示，它已開始量產24GB、8層HBM3E，這消息震驚業界人士，該產品將內建在輝達第二季出貨的H200 Tensor Core處理器。
李康宇長期致力於擴大和增強南韓國內記憶體晶片技術，目前計劃斥資數十億美元在美國建造先進封裝廠區，因應日漸激烈的競爭環境，他仍然看好SK海力士的前景，他認為目前砸大錢投資，是為了為滿足未來幾代HBM更多需求奠定基礎。
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