【公告】力晶取得美國專利局核發US 9305977專利

日 期：2016年06月30日

公司名稱：力晶 (5346)

主 旨：力晶取得美國專利局核發US 9305977專利

發言人：譚仲民

說 明：

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

電阻式隨機存取記憶體及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/26

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 213,496

4.其他應敘明事項:

一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置

於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與多個第二介層窗。記憶胞垂直相鄰地設置

於介電層中，且各個記憶胞包括第一介層窗、二導線與二可變電阻結構。導線分

別設置於第一介層窗的兩側。可變電阻結構分別設置於第一介層窗與導線之間。

在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞的可變電阻結構與位於下方的記

憶胞的可變電阻結構彼此隔離。第二介層窗分別設置於第一介層窗下方的介電層

中並連接於第一介層窗，且垂直相鄰的兩個第一介層窗藉由第二介層窗進行連接

。