力旺NeoFuse技術 完成16奈米製程平台驗證

矽智財廠力旺(3529-TW)宣佈，其單次可程式(One-Time Programmable，OTP) NeoFuse技術，在16奈米鰭式電晶體(FinFET)製程平台完成驗證，今年將完成矽智財開發與導入客戶應用。

另外，力旺28奈米方面也已佈建於台灣、美國、中國地區多家晶圓代工廠之多晶矽氮氧化矽(Poly SiON)與高介電金屬閘極(High-K Metal Gate，HKMG)製程平台並進入量產階段，量產效益將持續擴張。

力旺指出，NeoFuse技術已在多家國際級晶圓代工廠之0.11微米、65奈米、55奈米、40奈米與28奈米的邏輯、高壓(High-Voltage，HV)、低電(Low-Power，LP)、超低電(Ultra-Low Power，ULP)等製程平台完成佈建並進入量產，並獲多家客戶採用。

力旺NeoFuse技術應用在嵌入設計於影像感測晶片、影像訊號處理器(Image Signal Processor，ISP)、感測器中樞(Sensor Hub)、微機電控制晶片(MEMS Controller)、安全微控制器(Security Microcontroller Unit，Security MCU)與DRAM修護(DRAM Repair)等領域。

NeoFuse矽智財應用範疇廣泛涵蓋程式碼儲存(Code Storage)、加解密碼儲存(Code Encryption)、身份識別(Identification)及電路調校(Analog Trimming)等，透過晶片內建NeoFuse，其獨特的反熔絲結構與讀寫技術能提供安全金鑰(Security Key)，可於資料寫入後進入唯讀保護模式，防護晶片內儲存之資料受到破壞及竄改，其資訊安全防護等級更已獲得CA認證。