【台亞轉型大戰略1】銅鑼新廠有望2026量產 導入國產設備迎擊競爭對手

看好未來第三類半導體發揮的潛力,台亞積極向政府爭取4公頃銅鑼用地,擴充碳化矽、氮化鎵產線。(本刊資料照)
看好未來第三類半導體發揮的潛力,台亞積極向政府爭取4公頃銅鑼用地,擴充碳化矽、氮化鎵產線。(本刊資料照)

面對未來電動車、資料中心、綠能(太陽能逆變器)與無人機市場,可能對第三類半導體產生的龐大商機,台亞半導體大舉投入資金擬定3年擴產計畫,現正積極向竹科管理局爭取銅鑼科學園區用地,待通過竹科管理局審核,將在2026年量產第三類半導體,且將積極導入國產設備。

台亞近期投入第三類半導體(又稱寬能隙半導體)不遺餘力,除了投入大量資金外,更利用現有產線擴充相關產能。「不過利用目前生產線,受限一些瓶頸,產能無法放大」,衣冠君不諱言地說道。

衣冠君直指,目前碳化矽產能月產將近5,000片,氮化鎵月產則約3,000~5,000片,而這樣的產能遠遠不及因應未來電動車需求,故台亞已開始擬定3年擴廠計畫,積極向竹科管理局爭取占地4公頃銅鑼廠區用地建置新廠。

「台亞在碳化矽、氮化鎵都有非常大的投資金額在進行,新廠的建置也是為了第三類半導體所建」,衣冠君強調,預期未來將拓展6吋的碳化矽、8吋氮化鎵產線,甚至不排除建設12吋氮化鎵產線。

至於在設備端的建置,衣冠君坦言,產線中的磊晶機難以取代,新機6吋設備難以取得,而8吋大多是12吋設備降級所製,用12吋設備價格取得8吋設備也不合哩,故目前排除購買二手產品。

衣冠君進一步說道,二手產品取得時間短,加上大陸市場也瘋狂投入碳化矽、氮化鎵,設備需求量大,間接將二手設備價格哄抬很高,所以二手設備也不見得較為便宜。

也因如此,台亞也開始找尋新的設備採購方向。本身也是材料博士出身的衣冠君分析,半導體功率元件非IC類產品,在生產時對線寬沒有太嚴格要求,基本上國內許多設備商,均具有設計、生產、製造的能力,故在這波設備選型上,搭配扶植台灣本土製造的國家政策,初期8吋產線以導入4成國產自製設備為目標。

衣冠君透露,預期4成占比的自製設備,品項包含蝕刻類、清洗類、原子層沉積系統(ALD)等設備;而雷射設備,目前仍以日製為主。

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