微矽電子每股35元掛牌上市

微矽電子(8162)昨(7)日以每股35元正式掛牌上市。董事長張秉堂表示,隨著節能趨勢成形,各家積極投入氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)等第三代半導體解決方案,公司為滿足客戶需求,也啟動擴產計畫,新建廠房預計第二季無塵室就會完工並進駐機台,貢獻下半年營運。

與傳統的矽基半導體相比,第三代半導體具有更高的耐壓、耐熱、耐輻射等特性,在快速充電器、AI伺服器、無人機、家電、5G通訊、電動車、太陽能、風電、儲能系統等領域具有絕佳的應用前景。微矽電子深耕第三代半導體領域多年,具備氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)晶圓測試的技術與經驗,並已取得多家晶圓廠與IC設計公司的認證。

張秉堂表示,公司2014年即切入氮化鎵(GaN)晶圓測試領域,具有多年氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)晶圓測試領域之開發經驗,其中氮化鎵(GaN)亦與國內外多家晶圓廠與IC設計公司合作開發測試,並已累積相當的銷售實績,對於氮化鎵(GaN)的材料特性與元件特性,可充分掌握,未來隨著終端產品對氮化鎵(GaN)的需求成長,公司可快速導入量產,帶動未來成長契機。

此外,未來隨著車用市場對碳化矽(SiC)之功率元件需求提升,公司亦可藉由多年與碳化矽(SiC)客戶長期合作,累積開發驗證與量產經驗,取得國際車用大廠之認證,藉此跨入高規格車用市場領域,成為帶動未來營收成長之另一契機。